【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延1晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)晶體生長和外延2晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導(dǎo)
2025-01-23 03:14
【摘要】半導(dǎo)體光刻工藝技術(shù)基礎(chǔ)芯碩半導(dǎo)體(中國)有限公司做世界一流產(chǎn)品創(chuàng)世界一流品牌Contents1.半導(dǎo)體技術(shù)2.光刻技術(shù)在IC制造中的作用3.光刻的工藝流程4.光刻膠5.光刻機6.光源7.技術(shù)改進(jìn)和新技術(shù)一、半導(dǎo)體技術(shù)?半導(dǎo)體定義?半導(dǎo)體發(fā)展歷史
2025-04-29 05:02
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第4章 氧 化第4章 氧 化 引言 二氧化硅膜的性質(zhì) 二氧化硅膜的用途 熱氧化原理 氧化設(shè)備 氧化膜的質(zhì)量控制 氧化工藝模擬 引言二氧化硅(SiO2)是一種絕緣介質(zhì)。它在半導(dǎo)體器件中起著十分重要的作用。硅暴露在空氣中,即使在室溫條件下,其表面也能生長一層4nm左右的氧化膜。這一層氧化膜結(jié)構(gòu)致密,能防止硅表面繼續(xù)被氧
2025-03-01 04:31
【摘要】第一篇:眼鏡工藝流程 眼鏡生產(chǎn)工藝流程 一、設(shè)計開單 1、設(shè)計開發(fā) 2、繪圖 3、開單 4、跟單 5、發(fā)單.二、車間生產(chǎn) (1)開料:尺寸計算,怎樣節(jié)約開料方式。 (2)車內(nèi)圈:...
2025-09-14 04:28
【摘要】第一篇:高爐工藝流程 高爐煉鐵生產(chǎn)工藝流程簡介 ----冶金自動化系列專題 [導(dǎo)讀]:高爐煉鐵生產(chǎn)是冶金(鋼鐵)工業(yè)最主要的環(huán)節(jié)。高爐冶煉是把鐵礦石還原成生鐵的連續(xù)生產(chǎn)過程。鐵礦石、焦炭和熔劑等...
2025-09-22 08:58
【摘要】第一篇:機井工藝流程 機井工藝流程 1、施工要求 水文水井鉆機安裝 S系列水文水井鉆機大多為車載鉆機或移動式鉆機,此類鉆機的安裝工作較為方便。在預(yù)定的孔位旁平整一塊較堅實的場地,將鉆機開進(jìn)或拖...
2025-10-01 17:20
【摘要】LogoIntroductionofICAssemblyProcessIC封裝工藝介紹LogoIntroductionofICAssemblyProcess一、概念半導(dǎo)體芯片封裝是指利用膜技術(shù)及細(xì)微加工技術(shù),將芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘貼固定及連接,引出接線端子并通過可塑性絕緣介質(zhì)灌封固
2025-02-26 01:37
【摘要】1半導(dǎo)體業(yè)廢水處理流程簡介組員:942714蕭皓云942726黃郁雯942727李名妙942734吳士嫻942751莊語紜942755陳怡君科任教授:鄧宗禹大綱內(nèi)容一、半導(dǎo)體的介紹二、晶圓製作流程三、廢水來源四、廢水處理系統(tǒng)
2025-05-14 06:21
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第3章 清洗工藝第3章 清洗工藝 引言 污染物雜質(zhì)的分類 清洗方法概況 常用清洗設(shè)備——超聲波清洗設(shè)備 質(zhì)量控制 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 引言表3-1 國際半導(dǎo)體技術(shù)指南——清洗技術(shù) 污染物雜質(zhì)的分類表3-2 各種沾污的來源和相對的影響 污染物雜質(zhì)的分類
2025-03-01 04:30
【摘要】半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的作用和目的圖形的產(chǎn)生和布局1半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章光刻(上)光刻的定義光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。用照相復(fù)印的方法將掩模版上的圖案轉(zhuǎn)移到硅片表面的光刻膠上,以實現(xiàn)后續(xù)的有選擇刻蝕或
2025-02-28 12:02
【摘要】半導(dǎo)體文件 4 7 13 16 19 25 26 29l前奏 292電冰箱典型制冷循環(huán) 303電冰箱制冷循環(huán)比較分析研究 344雙路搖環(huán)制冷系統(tǒng)存在問題及解決方案 355結(jié)語 37 37 38第2章 38 38 402.4半導(dǎo)體制冷制熱工況設(shè)計 422.5冷熱端的熱交換性能 442.6小結(jié) 47
2025-08-11 20:58
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第六章擴(kuò)散原理(下)上節(jié)課主要內(nèi)容1、摻雜工藝一般分為哪兩步?結(jié)深?薄層電阻?固溶度?2、兩種特殊條件下的費克第二定律的解及其特點?特征擴(kuò)散長度?預(yù)淀積+退火。預(yù)淀積:氣固相預(yù)淀積擴(kuò)散或離子注入。Rs:表面為正方形的半導(dǎo)體薄層(結(jié)深),在平行電流方向所呈現(xiàn)的電阻,單位為?/?,反映擴(kuò)散入硅
2025-03-03 14:53