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半導(dǎo)體工藝流程(完整版)

2025-08-01 08:02上一頁面

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【正文】 時為有更好的清洗效果,通常使用超聲波激勵和擦片措施,一般在有機溶劑清洗后立即采用無機酸將其氧化去除,最后用超純水進(jìn)行清洗,如圖1-6所示。藥液槽 清洗槽藥液 超純水超純水典型的熱氧化化學(xué)反應(yīng)為:Si片離子注入離子注入也是一種給硅片摻雜的過程。H2O的方法就是濕法腐蝕或干法刻蝕?!?+化學(xué)機械拋光(CMP)CMP是類似機械拋光的一種拋光方式,一般用于具有三層或更多層金屬的集成電路芯片制造生產(chǎn)。背面減?。˙G)在芯片的生產(chǎn)過程中,芯片太薄不利于芯片生產(chǎn)。N2P2O5——濕法腐蝕是通過化學(xué)反應(yīng)的方法對基材腐蝕的過程,去除不同的物質(zhì)使用不同的材料。經(jīng)高溫退火后,注入離子活化,起施主或受主的作用。O2 → SiO2摻雜區(qū)P/N
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