半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程(更新版)
【正文】 素—鎵Ga、硼B(yǎng)PN結(jié)：半 導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為前段（Front End）制程 晶圓處理制程（Wafer Fabrication；簡(jiǎn)稱 Wafer Fab）、 晶圓針測(cè)制程（Wafer Probe）；后段（Back End） 構(gòu)裝（Packaging）、測(cè)試制程（Initial Test and Final Test）晶圓邊緣檢測(cè)系統(tǒng)一、晶圓處理制程 晶圓處理制程之主要工作為在矽晶圓上制作電路與電子元件，為各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過(guò)程 ，以微處理器（Microprocessor）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)且昂貴，有時(shí)可達(dá)數(shù)千萬(wàn)一臺(tái)，其所需制造環(huán)境為為一溫度、濕度與 含塵（Particle）均需控制的無(wú)塵室（CleanRoom），雖然詳細(xì)的處理程序是隨著產(chǎn)品種類與所使用的技術(shù)有關(guān)；不過(guò)其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過(guò)適 當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最后進(jìn)行微影、蝕刻及離子植入等反覆步驟，以完成晶圓上電路的加工與制作。激光鋸也有助于減少對(duì)晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。nbsp。研磨后，進(jìn)入刻蝕和清洗工藝，使用氫氧化鈉、乙酸和硝酸的混合物以減輕磨片過(guò)程中產(chǎn)生的損傷和裂紋。半導(dǎo)體制造環(huán)境要求主要污染源：微塵顆粒、中金屬離子、有機(jī)物殘留物和鈉離子等輕金屬例子。高溫時(shí)在Si中的擴(kuò)散系數(shù)小，以減小上推3
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