半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)流程-wenkub
2023-07-11 12:08:09 本頁(yè)面
【正文】 晶圓（晶片）圖表 10 晶圓切割晶圓（晶片）的生產(chǎn)由砂即（二氧化硅）開(kāi)始，經(jīng)由電弧爐的提煉還原成 冶煉級(jí)的硅，再經(jīng)由鹽酸氯化，產(chǎn)生三氯化硅，經(jīng)蒸餾純化后，透過(guò)慢速分 解過(guò)程，制成棒狀或粒狀的「多晶硅」。然后晶圓將依晶粒 為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒 三、IC構(gòu)裝制程 IC構(gòu)裝制程 （Packaging）：利用塑料和陶瓷包裝晶粒以成積體電路目的：是為了制造出所生產(chǎn)的電路的保護(hù)層，避免電路受到機(jī)械性刮傷或是高溫破壞。一支85公分長(zhǎng)， 8寸 硅晶棒，約需 2天半時(shí)間長(zhǎng)成。 雜質(zhì)固濃度大2。氧化TepiXjc+Xmc+TBLup+tepiox第二次光刻—P+隔離擴(kuò)散孔圖表 3CD檢測(cè)設(shè)備 半導(dǎo)體國(guó)際在襯底上形成孤立的外延層島,實(shí)現(xiàn)元件的隔離.SiO2涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜清洗—P+擴(kuò)散(B)第三次光刻—P型基區(qū)擴(kuò)散孔決定NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍去SiO2—氧化涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜—蝕刻—清洗—去膜—清洗—基區(qū)擴(kuò)散(B) 圖表 9 Da VinciTM濕法表面處理設(shè)備第四次光刻—N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔集電極和N型電阻的接觸孔,以及外延層的反偏孔。 。閱讀過(guò)后，希望您提出保貴的意見(jiàn)或建議。 與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力涂膠—烘烤掩膜（曝光）顯影堅(jiān)膜
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