半導體制造工藝課件(ppt98頁)-wenkub
2023-03-20 12:21:10 本頁面
【正文】 件的用途決定l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 熱生長一層薄氧化層，厚度約 50nml 淀積一層氮化硅，厚度約 100nml 光刻 2版 (場區(qū)隔離版l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 利用反應離子刻蝕技術(shù)將光刻窗口中的氮化硅層 氧化層以及一半的場氧化層刻蝕掉l 進行硼離子注入l 形成橫向氧化物隔離區(qū)l 去掉光刻膠，把硅片放入氧化爐氧化，形成厚的場氧化層隔離區(qū)l 去掉氮化硅層l 形成基區(qū)l 光刻 3版 (基區(qū)版 )，利用光刻膠將收集區(qū)遮擋住，暴露出基區(qū)l 基區(qū)離子注入硼l 形成接觸孔：l 光刻 4版 (基區(qū)接觸孔版 )l 進行大劑量硼離子注入l 刻蝕掉接觸孔中的氧化層l 形成發(fā)射區(qū)l 光刻 5版 (發(fā)射區(qū)版 )，利用光刻膠將基極接觸孔保護起來，暴露出發(fā)射極和集電極接觸孔l 進行低能量、高劑量的砷離子注入，形成發(fā)射區(qū)和集電區(qū)l 金屬化l 淀積金屬，一般是鋁或 AlSi、 PtSi合金等l 光刻 6版 (連線版 )，形成金屬互連線l 合金：使 Al與接觸孔中的硅形成良好的歐姆接觸，一般是在 450℃ 、 N2H2氣氛下處理 20～ 30分鐘l 形成鈍化層l 在低溫條件下 (小于 300℃ )淀積氮化硅l 光刻 7版 (鈍化版 )l 刻蝕氮化硅，形成鈍化圖形隔離技術(shù)lPN結(jié)隔離l場區(qū)隔離l絕緣介質(zhì)隔離l溝槽隔離PN結(jié)隔離工藝絕緣介質(zhì)隔離工藝LOCOS隔離工藝LOCOS隔離工藝溝槽隔離工藝接觸與互連l Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料 , 但 Al連線也存在一些比較嚴重的問題l 電遷移嚴重、電阻率偏高、淺結(jié)穿透等l Cu連線工藝有望從根本上解決該問題l IBM、 Motorola等已經(jīng)開發(fā)成功l 目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的 70～ 80%；且連線的寬度越來越窄，電流密度迅速增加l幾個概念l 場區(qū)l 有源區(qū)l柵結(jié)構(gòu)材料l Al二氧化硅結(jié)構(gòu)l 多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu)l 難熔金屬硅化物 /多晶硅 二氧化硅結(jié)構(gòu)l Salicide工藝l 淀積多晶硅、刻蝕并形成側(cè)壁氧化層；l 淀積 Ti或 Co等難熔金屬l RTP并選擇腐蝕側(cè)壁氧化層上的金屬；l 最后形成 Salicide結(jié)構(gòu)封裝工藝流程各種封裝類型示意圖 半導體工藝小結(jié)l前工序l 圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)：主要包括光刻、刻蝕等技術(shù)l 薄膜制備技術(shù)：主要包括外延、氧化、化學氣相淀積、物理氣相淀積 (如濺射、蒸發(fā) ) 等l 摻雜技術(shù)：主要包括擴散和離子注入等技術(shù) 半導體工藝小結(jié)l后工序l劃片l封裝l測試l老化l篩選 半導體工藝小結(jié)l輔助工序l超凈廠房技術(shù)l超純水、高純氣體制備技術(shù)l光刻掩膜版制備技術(shù)l材料準備技術(shù)l 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。CVD淀積 SiO2；216。磷注入；5216。柵氧生長；3216。氮化硅刻蝕；216。第二次光刻：定義有效溝道區(qū)域；216。進行 N阱的離子注入與二次擴散；216。l 氮化硅的化學汽相淀積： 中等溫度 (780～820℃ )的 LPCVD或低溫 (300℃ ) PECVD方法淀積物理氣相淀積 (PVD)l 蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。選擇性好、對襯底損傷較小，但各向異性較差l 反應離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡稱為RIE)： 通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學反應雙重作用刻蝕。半導體制造工藝半導體制造工藝l微電子學：Microelectronicsl微電子學 —— 微型電子學l核心 —— 半導體器件l 半導體器件設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程 封裝 測試 物理原理— 制造業(yè) —芯片制造過程
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