【正文】 04:50:5504:50:5504:502/1/2023 4:50:55 AMl 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 01 二月 20234:50:55 上午 04:50:55二月 21l 1比不了得就不比，得不到的就不要。第三次光刻：形成多晶硅圖形，定義柵極；4216。熱氧化生成 SiO2；216。l 可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入到無定形靶中的高斯分布情況退 火l 退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火l 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用l 消除損傷l 退火方式：l 爐退火l 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 )氧化工藝l氧化：制備 SiO2層l SiO2的性質(zhì)及其作用l SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)氧化硅層的主要作用l 在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分l 擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層，離子注入的 (有時(shí)與光刻膠、 Si3N4層一起使用 )阻擋層l 作為集成電路的隔離介質(zhì)材料l 作為電容器的絕緣介質(zhì)材料l 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料l 作為對(duì)器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料SiO2的制備方法l 熱氧化法l 干氧氧化l 水蒸汽氧化l 濕氧氧化l 干氧－濕氧－干氧 (簡(jiǎn)稱干濕干 )氧化法l 氫氧合成氧化l 化學(xué)氣相淀積法l 熱分解淀積法l 濺射法進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖化學(xué)汽相淀積 (CVD)l 化學(xué)汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition)： 通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程l CVD技術(shù)特點(diǎn)：l 具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡(jiǎn)單等一系列優(yōu)點(diǎn)l CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等化學(xué)汽相淀積 (CVD)l常壓化學(xué)汽相淀積 (APCVD)l低壓化學(xué)汽相淀積 (LPCVD)l等離子增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖平行板型 PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖化學(xué)汽相淀積 (CVD)l 單晶硅的化學(xué)汽相淀積 (外延 )： 一般地，將在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶材料的工藝叫做外延，生長(zhǎng)有外延層的晶體片叫做外延片l 二氧化硅的化學(xué)汽相淀積： 可以作為金屬化時(shí)的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 l 低溫 CVD氧化層：低于 500℃l 中等溫度淀積： 500～ 800℃l 高溫淀積： 900℃ 左右化學(xué)汽相淀積 (CVD)l 多晶硅的化學(xué)汽相淀積： 利用多晶硅替代金屬鋁作為 MOS器件的柵極是 MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)源漏區(qū)自對(duì)準(zhǔn)離子注入，使MOS集成電路的集成度得到很大提高。閾值電壓調(diào)整的離子注入；216。 二月 2104:50:5504:50Feb2101Feb21l 1故人江海別，幾度隔山川。 2023/2/1 4:50:5504:50:5501 February 2023l 1空山新雨后，天氣晚來秋。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 2023/2/1 4:50:5504:50:5501 February 2023l 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。光刻膠掩蔽條；216?？涛g氧化物；1216。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差l 反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Io