半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)教材-在線瀏覽
2025-04-02 04:28本頁面
【正文】 與分辨率。8半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )35％的成本來自于光刻工藝圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)組成：?掩膜版 /電路設(shè)計(jì)?掩膜版制作?光刻光源曝光系統(tǒng)光刻膠 用于 IC制造的掩模版通常為縮小倍數(shù)的掩模版。然后將 CAD得到的數(shù)據(jù)信息傳送到電子束圖形曝光的圖形產(chǎn)生器。掩模版是由融凝硅土的基底覆蓋一層鉻膜組成。4或 5投影光刻版在 制版時(shí)容易檢查缺陷252。蒙膜 (pellicle)保護(hù)防止顆粒玷污13半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )掩模版制作過程12. Finished14半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )成品率 Y:D0:單位面積缺陷數(shù)， Ac: 芯片面積， N: 掩膜版層數(shù)15半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )光刻機(jī)光刻機(jī)的性能由三個(gè)參數(shù)判斷：分辨率、套準(zhǔn)精度與產(chǎn)率。光學(xué)曝光方法：遮蔽式曝光和投影式曝光。若有塵?；蚬柙度胙谀０嬷校瑢⒃斐裳? 模版永久性損壞，在后續(xù)曝光的晶片上形成缺陷。但這一間隙會在掩 模版圖案邊緣造成光學(xué)衍射。16半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )三種硅片曝光模式及系統(tǒng)接觸式 接近式 投影式1:1曝光系統(tǒng)17半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )步進(jìn)投影式光刻機(jī)原理圖10:1 5:1 1:1步進(jìn)掃描光刻機(jī)18半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )DSW － direct step on wafer19半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )接觸式和接近式 —— 近場衍射（ Fresnel）像平面靠近孔徑，二者之間無鏡頭系統(tǒng)曝光系統(tǒng)20半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )接觸和接近式Fresnel衍射理論適用的間隔范圍：最小分辨尺寸g＝ 10 ?m， ?＝ 365 nm（ i線）時(shí)，Wmin?2 ?m21半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )對遮蔽式曝光，最小線寬（臨界尺寸）可用下式表示其中， λ是曝光光源的波長， g是掩模版與晶片間的間隙距離。然而，當(dāng)給定一個(gè) g，任何大于 g的微塵粒子都會對掩模版造成損壞。S1S2S1S2S1S2可分辨不可分辨恰可分辨100%%分辨率24半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )兩個(gè)愛里斑之間的分辨率 (瑞利判據(jù) ):數(shù)值孔徑：收集衍射光的能力。26半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )投影式基本參數(shù)：252。焦深 (depth of focus)252。調(diào)制傳遞函數(shù) (MTF—modulation transfer function)252。產(chǎn)率 (throughput)252。根據(jù)瑞利判據(jù)：? 很小時(shí)，焦深NA?，焦深 ? ?焦深28半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )焦深焦平面光刻膠IC技術(shù)中，焦深只有 1?m，甚至更小29半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ)第四章 光刻 (上 )光刻膠光刻膠的作用：對于入射光子有化學(xué)變化，通過顯影，從而實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。正膠：曝光前不可溶，曝光后 可溶負(fù)膠：曝光前 可溶，曝光后不可溶 光刻膠對大部分可見光敏感， 對黃光不敏感
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1