半導體制造工藝_05光刻(下)-在線瀏覽
2025-04-01 12:03本頁面
【正文】 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) (RET) 光學臨近修正 OPC (optical proximity correction) 在光刻版上進行圖形修正，來補償衍射帶來的光刻圖形變形 16 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) OPC實例 17 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 離軸照明技術 OAI (offaxis illumination) 可以減小對分辨率的限制、增加成像的焦深且提高了 MTF 18 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Mask design and resist process ? [nm] k1 436 365 248 193 NAkR ?1?Resist chemistry 436,365 nm: PhotoActiveComponent (PAC) 248,193 nm: PhotoAcidGenerator (PAG) Contrast 436,365 nm: ?=23, (Qf/Q0?) 248,193 nm: ?=510 (Qf/Q0?) 光刻膠對比度改進 19 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Lens fabrication ? [nm] NA 436 365 248 193 NAkR ?1?State of the Art: ?=193 nm, k1=, NA= ? R?60 nm = ? R?40 nm Numerical Aperture: NA=nsina Immersion Lithography 2 ??? NAOHa n H2O 增加數(shù)值孔徑 20 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 21 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 22 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV 超紫外光曝光 23 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) Minimum feature size Production 2023 2023 2023 2023 2023 Technology Node 90 nm 65 nm 45 nm 32 nm 22 nm Half pitch [nm] 110 105 ~80 ~ 55 ~39 LG [nm] 60 42 ~30 ~21 ~16 ??193 nm ??193 nm immersion ?193 nm immersion with higher n? pitch LG P. Bai, et. al., IEDM2023 24 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) EUV（ Extreme ultra violet) 25 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 反射式掩模版 26 半導體制備工藝基礎 第四章 光刻原 理 (下 ) 電子束圖形曝光 電子束圖形曝光主要版。 缺點：電子束光刻機產(chǎn)率低，在分辨率小于 ，約為每小時 10片晶片。而對不用掩模版的直寫形成圖案方式，設備必須盡可能提供產(chǎn)率，故要采用與器件最小尺寸相容的最大束徑。 27 半導體制備工藝基礎
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