半導(dǎo)體制造工藝之光刻原理課件(文件)
【正文】 寬度改變！ 1 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 下層反射造成駐波，下層散射降低圖像分辨率。 DUV膠 — ARC g線和 i線膠 — 使用添加劑，吸光并降低反射，曝光后顯影前的烘烤也有利于緩解其駐波現(xiàn)象。 正膠：丙酮 氧化去膠 450 ?C O2+膠 ?CO2?+H2O? 等離子去膠（ Oxygen plasma ashing） 高頻電場 O2?電離 O－ ＋ O＋ O＋ 活性基與膠反應(yīng) CO2?， CO ?， H2O?。 用于掩模版的制作，只有相當(dāng)少數(shù)裝置用于將電子束直接對抗蝕劑曝光而不需掩模 優(yōu)點(diǎn)：可以參數(shù)亞微米的幾何抗蝕劑圖案、高自動(dòng)化及高精度控制的操作、比光學(xué)圖形曝光有較大的聚焦深度與不同掩模版可直接在半導(dǎo)體晶片上描繪圖案。 聚焦電子束掃描主要分成兩種形式：光柵掃描、向量掃描。 PMMA和 PBS 分辨率可達(dá) 微米或更好 COP 分辨率可達(dá) 1 微米左右 32 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 鄰近效應(yīng) 在光學(xué)圖形曝光中，分辨率的好壞是由衍射來決定的。 100個(gè)能量為 20keV的電子 在 PMMA中的運(yùn)動(dòng)軌跡模擬 在抗蝕劑與襯底界面間，正向散射 與背散射的劑量分布 33 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) X射線圖形曝光（ XRL） XRL圖形曝光極有潛力繼承光學(xué)圖形曝光來制作 100nm的集成電路。 掩模版為 XRL系統(tǒng)中最困難且關(guān)鍵的部分，而且 X射線掩模版的制作比光學(xué)掩模版來得復(fù)雜。所有這些過程都會(huì)造成電子射出，所以抗蝕劑在 X射線照射下，就相當(dāng)于被大量的二次電子照射。 37 半導(dǎo)體制備工藝基礎(chǔ) 第四章 光刻原 理 (下 ) 不同圖形曝光方法的比較 先前討論的圖形曝光方法，都有 100nm的或更好分辨率。 根據(jù)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)的設(shè)想， IC制作技術(shù)將在 2023年時(shí)會(huì)達(dá)到 50nm。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 2023年 3月 22日星期三 下午 2時(shí) 53分 20秒 14:53: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 下午 2時(shí) 53分 20秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: ? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 14:53:2023:53:2023:53Wednesday, March 22, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 14:53:2023:53:2023:533/22/2023 2:53:20 PM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :53:2023:53:20March 22, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 下午 2時(shí) 53分 20秒 下午 2時(shí) 53分 14:53: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 2023年 3月 下午 2時(shí) 53分 :53March 22, 2023 ? 1業(yè)余生活
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