半導體制造技術導論chapter8離子注入工藝(文件)
【正文】 最高到 2400井區(qū) P/600/2?1013 P/400/2?1013 P/300/1?1013抗接面擊穿 P/100/5?1013 As/100/5?1012 As/50/2?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/2?1015 B/20/2?1015 B/20/3?1015多晶硅擴散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) B/7/5?1013 B/5/1?1014 B/2/8?1013Halo井區(qū) B/225/3?1013 B/200/1?1013 B/175/1?1013抗接面擊穿 B/30/2?1013 B/50/5?1012 B/45/5?1012臨界電壓 B/10/7?1012 B/5/3?1012 B/2/4?1012多晶硅注入 P/30/5?1015 P/20/2?1015 As/40/3?1015多晶硅擴散阻隔 N2/20/3?1015低摻雜漏極 (LDD) P/20/5?1013 P/12/5?1013 P/5/3?1013HaloMeV),低劑量 (10keV),低劑量 高 197。30到 ratio)? 可以高到 100,000： 1? 天線比例越大，越容易使匣極氧化層崩潰102天線比例多晶硅場區(qū)氧化層 匣極氧化層硅基片俯視圖測試圖103粒子污染物? 大型粒子會阻擋注離子束，特別是在低能量離子注入制程 相同的質荷比 (m/q==Rs和 P3,V/I四點探針測量109熱波系統(tǒng)? 氬幫浦在晶圓表面上產(chǎn)生熱脈沖? HeNe探針雷射會在同一地點量測由幫浦雷射所造成的直流反射系數(shù) PH3,Sb? 一般常識：先離開現(xiàn)場，讓受過訓練的人入內調查 .116離子注入：電磁安全? 高壓 :kV.? 接地放電 ,做為摻雜氣體? 氟和氫反應生成 HF? 任何物品在束線都可以夾帶 HF? 當以濕式清洗這些零件時，必須佩帶雙重手套119離子注入：機械安全? 移動的零件、門、閥和機械手臂? 旋轉輪或圓盤? 熱表面? ……120技術的趨勢? 超淺型接面 )針對 將組件與主體硅基片完全隔絕123a粒子造成的電子 — 電洞對+ +?a?源極 漏極匣極氧化層125形成硅覆蓋絕緣層結構? 晶圓注入– 注入富含氧離子的硅膜層– 高溫退火? 晶圓接合 (Bonded單晶硅二氧化硅巨體硅128電漿浸置型離子注入? DRAM具有深溝槽電容器? 溝槽變的更深也更窄? 標準離子注入制程很難在深溝槽的兩側與底部進行重度摻雜? 電漿浸置型離子注入 (PIII)? 沒有離子種類與離子能量選擇的離子注入制程129介電質層重度摻雜硅硅基片深溝槽式電容器多晶硅130電子回旋共振電漿浸置型離子注入系統(tǒng)氦射頻偏壓磁力線微波磁鐵線圈電子回旋共振電漿晶圓靜電吸附承座131離子注入概要? 摻雜半導體? 比擴散好的摻雜方法? 容易控制接面深度 高能量 ,低劑量? 源極 低劑量? 低摻雜漏極 低能量 ,01,AM? 1以我獨沈久，愧君相 見頻 。01,2023? 1他 鄉(xiāng) 生白 發(fā) ，舊國 見 青山。上午 04:52:12二月 21? 1比不了得就不比，得不到的就不要。上午 二月 2104:52February4:52:1204:52:1201上午 4:5201,AM? 1成功就是日復一日那一點點小小努力的 積 累。01,2023? 1意志 堅 強 的人能把世界放在手中像泥 塊 一 樣 任意揉捏。上午 04:52:12二月 21? 1楚塞三湘接， 荊門 九派通。上午 二月 2104:52February4:52:1204:52:1201上午 4:5201,AM? 1越是沒有本 領 的就越加自命不凡。01,01,20234:52:12上午 二月 2104:52February4:52:1204:52:1201上午 4:522023? 1一個人即使已登上 頂 峰，也仍要自 強 不息。2023? 1 業(yè) 余生活要有意 義 ，不要越 軌 。 二月 01 勝 人者有力，自 勝 者 強 。 04:52:1204:52:1204:52Monday, 04:52:1204:52:1204:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,2023? 1空山新雨后，天氣晚來秋。2023? 1少年十五二十 時 ，步行 奪 得胡 馬騎 。 二月 二月 二月 21二月 2104:52:1204:52:12February 04:52:1204:52:1204:52Monday, 04:52:1204:52:1204:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,2023? 1做前，能 夠環(huán)視 四周；做 時 ，你只能或者最好沿著以腳 為 起點的射 線 向前。2023? 1行 動 出成果，工作出 財 富。 二月 二月 二月 21二月 2104:52:1204:52:12February 04:52:1204:52:1204:52Monday, 04:52:1204:52:1204:522/1/2023 二月 21二月 21Monday,漏極 低能量 ,摻雜物濃度 126漏極 p+源極 +硅基片 + ++ ??keV? USJ的要求– 淺度– 低的薄片電阻– 低的接
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