半導(dǎo)體制造工藝課件(ppt 98頁(yè))(文件)
【正文】 由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝 光刻 蝕硅片測(cè)試和封裝用掩膜版重復(fù)2030次溝道長(zhǎng)度為溝道長(zhǎng)度為 柵長(zhǎng)為柵長(zhǎng)為 90納米的柵圖形照片納米的柵圖形照片 50?m100? m頭發(fā)絲粗細(xì) 30?m1?m ? 1?m(晶體管的大小 )30~50?m(皮膚細(xì)胞的大小 )90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細(xì)、皮膚細(xì)胞大小的比較N溝道 MOS晶體管CMOS集成電路 (互補(bǔ)型 MOS集成電路 )：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的 95% 以上。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。按照能量來(lái)源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種l 濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上蒸發(fā)原理圖半導(dǎo)體工藝l 圖形轉(zhuǎn)換：l 光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻l 刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕l 摻雜：l 離子注入 退火l 擴(kuò)散l 制膜：l 氧化：干氧氧化、濕氧氧化等l CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVDl PVD：蒸發(fā)、濺射集成電路制造工藝集成電路制造工藝20世紀(jì) 60年代的典型工藝20世紀(jì) 70年代的典型工藝20世紀(jì) 80年代的典型工藝Nwell CMOS 工藝216?？涛g氧化物；1216。氮化硅刻蝕；216。緩沖層刻蝕；216。CVD淀積 N+多晶硅柵；216。光刻膠掩蔽條；216。離子注入退火；6216。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023l 雨中黃葉樹(shù)，燈下白頭人。 二月 21二月 2104:50:5504:50:55February 01, 2023l 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見(jiàn)青山。 2023/2/1 4:50:5504:50:5501 February 2023l 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 二月 2104:50:5504:50Feb2101Feb21l 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023l 閱讀一切好書如同和過(guò)去最杰出的人談話。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 2023/2/1 4:50:5504:50:5501 February 2023l 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 01 二月 20234:50:55 上午 04:50:55二月 21l 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過(guò)于提升自我。 二月 2104:50:5504:50Feb2101Feb21l 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023/2/1 4:50:5504:50:5501 February 2023l 1空山新雨后，天氣晚來(lái)秋。 二月 21二月 2104:50:5504:50:55February 01, 2023l 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 二月 21二月 21Monday, February 01, 2023l 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒(méi)有。 。 二月 2104:50:5504:50Feb2101Feb21l 1故人江海別，幾度隔山川。金屬 Al淀積；216。光刻膠掩蔽條；216。第四次光刻：打開(kāi) N+區(qū)的離子注入窗口；216。閾值電壓調(diào)整的離子注入；216。熱氧化生成場(chǎng)氧；216。CVD淀積 Si3N4；216。第一次光刻：打開(kāi) N阱離子注入窗口；216。l 可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入到無(wú)定形靶中的高斯分布情況退 火l 退火：也叫熱處理，集成電路工藝
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