《半導(dǎo)體工藝概述》ppt課件(文件)
【正文】 快速熱處理 ? 離子注入 中 /高電流離子注入 低能量 /高能量離子注入 熱處理 制程方法 具體分類 加熱 加熱盤 熱對流 快速加熱 熱輻射 紅處線加熱 芯片制造的特點(diǎn) ? 超潔超凈 半導(dǎo)體芯片尤其是高密度的集成電路，極易受到多種污染物的損害，主要體現(xiàn)在器件成品率，器件性能，器件可靠性。不同產(chǎn)品的制作工藝不同，且繁瑣復(fù)雜，但可以分解為多個基本相同的小單元，就是單項(xiàng)工藝，不同產(chǎn)品的制作就是將單項(xiàng)工藝按需要排列組合來實(shí)現(xiàn)的。 ? 芯片制造半導(dǎo)體器件制作在硅片表面僅幾微米的薄層上，在一片硅片上可以同時制作幾十甚至上百個特定的芯片。 污染物：微粒、金屬離子、化學(xué)物質(zhì)、細(xì)菌 微粒 器件對污染物的敏感度取決于較小的特征圖形尺寸和晶片淀積層的厚度。 Na+ K+ Fe3+ Mg2+ Al3+ 較常見的可移動離子 化學(xué)物質(zhì) ? 工藝過程中所用的化學(xué)用品和可能會受到對芯片產(chǎn)生污染，導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件上生成無法去除的化合物，或者引起不均勻的工藝過程。 溫度1150℃ ， 時間60分鐘 。 其次
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