半導(dǎo)體工藝概述ppt課件(已改無錯(cuò)字)
2023-06-07 12:40:42 本頁面
【正文】 上生成，會(huì)成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望的金屬離子。 ? 大批量生產(chǎn) ? 低成本 ? 圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)使之得以實(shí)現(xiàn) 制作器件工藝實(shí)例 微米雙極集成電路工藝 微電子器件 工藝流程 N阱 MOS工藝 初始氧化：通過氧化，生長一層 SiO2膜，用作雜質(zhì)擴(kuò)散掩蔽膜 膜厚 350nm 用第一塊掩膜版，經(jīng)曝光、等離子刻蝕，形成 N阱窗口 在 N2:O2=9:1 的氣氛中退火和驅(qū)進(jìn) 。 溫度1150℃ ， 時(shí)間60分鐘 。 N阱深度為 5~6微米 。同時(shí)生長一層約 200nm的氧化層 。 首先生長緩沖 SiO2薄層 ， 厚度 600nm， 目的是減少淀積的氮化硅與硅襯底之間的應(yīng)力 。 其次低壓 CVD氮化硅 ， 用于掩蔽氧化， 厚度 100nm 確定 NMOS有源區(qū)：利用第二塊掩膜版，經(jīng)曝光、等離子刻蝕，保留 NMOS有源區(qū)和 N阱區(qū)的氮化硅，去掉場區(qū)氮化硅，NMOS場區(qū)硼注入，劑量 1*1013cm2，能量 120keV，防止場區(qū)下硅表面反型，產(chǎn)生寄生溝道。 利用氮化硅掩蔽氧化的功能，在沒有氮化硅、并經(jīng)硼離子注入的區(qū)域，生長一層場氧化層，厚度 400nm 去除 N阱中非 PMOS有源區(qū)部分的氧化硅和氮化硅 ， 這部分將是場區(qū)的一部分 。 對 N阱中場區(qū)部分磷離子注入 ， 防止寄生溝道影響 。 一般采用濕氧氧化或高壓氧化方法生長一層 1微米厚的SiO2 柵氧化及開啟電壓調(diào)整： 去掉氮化硅和緩沖 SiO2。 柵氧化：在HCl氣氛中干氧
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