【總結(jié)】?jī)?nèi)容:?黑體輻射與能量量子化的假設(shè)?光電效應(yīng)?康普頓效應(yīng)?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀(guān)粒子的波粒二象性?測(cè)不準(zhǔn)關(guān)系?薛定鄂方程?無(wú)限深勢(shì)阱中的粒子?激光原理?晶體點(diǎn)陣及電子波在周期勢(shì)場(chǎng)中的傳播應(yīng)用Atoms(原子核)(外層電子、價(jià)帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-05 18:14
【總結(jié)】半導(dǎo)體催化劑屬于半導(dǎo)體催化劑類(lèi)型:?過(guò)渡金屬氧化物:ZnO,NiO,WO3,Cr2O3,MnO2,MoO3.V2O5,F(xiàn)e3O4,CuO等;?過(guò)渡金屬?gòu)?fù)合氧化物:V2O5—MoO3,MoO3-Bi2O3等;?某些硫化物如MoS2,CoS2等半導(dǎo)體催化劑特點(diǎn)?半導(dǎo)體催化劑特點(diǎn)是能加速以
2025-05-05 18:27
【總結(jié)】第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導(dǎo)體三極管的外形第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)三極管的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型圖1–29三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)
2025-05-06 12:44
【總結(jié)】Chapter15.量子物理§半導(dǎo)體P.1/29§半導(dǎo)體
2025-05-06 12:45
【總結(jié)】第八章發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器●輻射復(fù)合與非輻射●LED的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器-五族化合物中觀(guān)察到輻射復(fù)合PN結(jié)發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實(shí)現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器
2025-05-06 12:46
【總結(jié)】電子元器件知識(shí)入門(mén)課-半導(dǎo)體元器件內(nèi)部培訓(xùn)資料m課程目錄1電子元器件簡(jiǎn)介和分類(lèi)2阻容元件3電感元件和變壓器4開(kāi)關(guān)5繼電器6半導(dǎo)體元器件7電聲器件8發(fā)光顯示元器件9保險(xiǎn)元件10石英晶體和陶瓷元器件11
2025-05-06 12:43
【總結(jié)】第1章半導(dǎo)體器件第1章半導(dǎo)體器件第1節(jié)半導(dǎo)體基礎(chǔ)第2節(jié)半導(dǎo)體二極管第3節(jié)穩(wěn)壓二極管第4節(jié)晶體三極管第5節(jié)場(chǎng)效應(yīng)管第1章
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識(shí)?本征材料:純硅9-10個(gè)9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過(guò)程可分為?前段
2025-05-12 20:53
【總結(jié)】13元素半導(dǎo)體材料目前發(fā)現(xiàn)的元素半導(dǎo)體材料:Si、Ge、C(金剛石)、Se、α-Sn(灰錫)、P(磷)、Te(碲)、B;硅1824年,別爾澤留斯(BerzeliusJ.J.)——非晶Si;Si在地殼中的豐度為%,僅次于氧。三種同位素:28Si(%)
2025-05-05 03:55
【總結(jié)】化合物半導(dǎo)體器件DaiXianying化合物半導(dǎo)體器件CompoundSemiconductorDevices微電子學(xué)院戴顯英化合物半導(dǎo)體器件DaiXianying第三章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)?異質(zhì)結(jié)及其能帶圖?異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性?量子阱與二維電子氣?多量子阱與超晶格
【總結(jié)】(1-1)電工學(xué)2電子技術(shù)(1-2)概述電子技術(shù):研究電子器件、電子電路和系統(tǒng)及其應(yīng)用的技術(shù)。電子技術(shù)?模擬電子技術(shù)數(shù)字電子技術(shù)(1-3)模擬信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點(diǎn);t數(shù)字信號(hào):在時(shí)間上和數(shù)值上是離散的,突變。等矩形波t尖頂波
2025-01-14 10:17
【總結(jié)】9-1PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管9-3晶體管9-4場(chǎng)效應(yīng)管9-2特殊二極管一、半導(dǎo)體材料元素半導(dǎo)體材料有硅Si和鍺Ge等,它們都是4價(jià)元素.化合物半導(dǎo)體由大多數(shù)金屬氧化物、硫化物及砷化物組成等。導(dǎo)電特點(diǎn):1、其能力容易受溫度、光照等環(huán)境因素影響2、在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)可以顯著提
2025-01-14 10:04
【總結(jié)】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)圖形曝光與光刻1圖形曝光與光刻現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)圖形曝光與光刻2圖形曝光與刻蝕圖形曝光(lithogra
2025-06-12 18:07
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件原理一.半導(dǎo)體基礎(chǔ)二.pn結(jié)三.BJT四.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件硅半導(dǎo)體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導(dǎo)體器
2025-08-16 01:27
【總結(jié)】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關(guān)的變異器件。4種基本半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。金屬-半導(dǎo)體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結(jié):半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)結(jié)構(gòu);p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結(jié)構(gòu)的可控硅器件。
2025-05-07 12:40