半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)ppt課件(已修改)
2025-05-18 12:45 本頁面
【正文】 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 化合物半導(dǎo)體器件 Compound Semiconductor Devices 微電子學(xué)院 戴顯英 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 第三章 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié) ? 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 異質(zhì)結(jié)的電學(xué)特性 ? 量子阱與二維電子氣 ? 多量子阱與超晶格 ? 半導(dǎo)體應(yīng)變異質(zhì)結(jié) 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的形成 圖 IIIV族和 IIVI族化合物 半導(dǎo)體的禁帶寬度和晶格常數(shù) 1）異質(zhì)結(jié) 2）異質(zhì)結(jié)形成的工藝 3） 異質(zhì)結(jié)的類型 4）異質(zhì)結(jié)形成的關(guān)鍵 5）晶格失配 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 圖 晶格失配形成位錯缺陷 ? ? ? ?2 1 2 12 2 2 21 2 1 21ssa a a aL S L SNL S a a a a????? ? ?????6）單位面積的懸掛鍵數(shù) 圖 （張）應(yīng)變 Si示意圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 圖 半導(dǎo)體能帶邊沿圖 圖 孤立的 n型和 p型半導(dǎo)體能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異質(zhì)結(jié)的能帶圖 圖 形成異質(zhì)結(jié)之前 (a)和之后 (b)的平衡能帶圖 （以突變異質(zhì)結(jié)為例） (a) (b) 1)突變反型異質(zhì)結(jié)能帶圖 不考慮界面態(tài)時的能帶圖（理想狀態(tài)） 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 熱平衡下的能帶圖 （ pGaAs/NAlGaAs） 圖 同質(zhì) pn結(jié)平衡能帶圖 圖 異質(zhì)結(jié) pn平衡能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 ? 熱平衡下的能帶圖 圖 np異質(zhì)結(jié)平衡能帶圖 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 Anderson定則（模型）： 異質(zhì)結(jié)平衡能帶的特點(diǎn)： ① 能帶發(fā)生彎曲 ② 能帶在界面處不連續(xù)，有突變。 ① Δ EC=χ 1χ 2 ② Δ EV=(Eg2Eg1)(χ 1χ 2) = Δ Eg Δχ ③ Δ EC+Δ EV = Δ Eg 異質(zhì)結(jié)能帶的新要點(diǎn) （特征）： 圖 Anderson模型的 Δ EC Δχ 關(guān)系 化合物半導(dǎo)體器件 Dai Xianying 異質(zhì)結(jié)及其能帶圖 異
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