【總結】第十二章半導體磁效應霍爾效應磁阻效應磁光效應量子霍爾效應?一種載流子的霍爾效應?載流子在電磁場中的運動?兩種載流子的霍爾效應?霍爾效應的應用?1879年,霍爾()在研究通有電流的導體在磁場中受力的情況時,發(fā)現(xiàn)在垂直于磁場和電流的方向上產生了電動勢,這個電磁效應稱為“霍爾效應”?1980年,德國物理學家馮·克利青發(fā)現(xiàn)
2025-05-12 03:10
【總結】內容:?黑體輻射與能量量子化的假設?光電效應?康普頓效應?氫原子光譜與玻爾的氫原子理論?微觀粒子的波粒二象性?測不準關系?薛定鄂方程?無限深勢阱中的粒子?激光原理?晶體點陣及電子波在周期勢場中的傳播應用Atoms(原子核)(外層電子、價帶電子)(激發(fā)態(tài)電子)Moretha
2025-05-05 18:14
【總結】半導體催化劑屬于半導體催化劑類型:?過渡金屬氧化物:ZnO,NiO,WO3,Cr2O3,MnO2,MoO3.V2O5,F(xiàn)e3O4,CuO等;?過渡金屬復合氧化物:V2O5—MoO3,MoO3-Bi2O3等;?某些硫化物如MoS2,CoS2等半導體催化劑特點?半導體催化劑特點是能加速以
2025-05-05 18:27
【總結】第1章半導體器件基礎半導體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導體三極管的外形第1章半導體器件基礎三極管的結構及類型圖1–29三極管的結構示意圖和符號
2025-05-06 12:44
【總結】Chapter15.量子物理§半導體P.1/29§半導體
2025-05-06 12:45
【總結】第八章發(fā)光二極管和半導體激光器●輻射復合與非輻射●LED的基本結構和工作過程●LED的特性參數(shù)發(fā)光二極管和半導體激光器-五族化合物中觀察到輻射復合PN結發(fā)光1962年砷化鎵發(fā)光二極管和激光器研制成功1970年砷化鎵-鋁鎵砷激光器實現(xiàn)室溫連續(xù)引言發(fā)光二極管和半導體激光器
2025-05-06 12:46
【總結】電子元器件知識入門課-半導體元器件內部培訓資料m課程目錄1電子元器件簡介和分類2阻容元件3電感元件和變壓器4開關5繼電器6半導體元器件7電聲器件8發(fā)光顯示元器件9保險元件10石英晶體和陶瓷元器件11
2025-05-06 12:43
【總結】第1章半導體器件第1章半導體器件第1節(jié)半導體基礎第2節(jié)半導體二極管第3節(jié)穩(wěn)壓二極管第4節(jié)晶體三極管第5節(jié)場效應管第1章
【總結】13元素半導體材料目前發(fā)現(xiàn)的元素半導體材料:Si、Ge、C(金剛石)、Se、α-Sn(灰錫)、P(磷)、Te(碲)、B;硅1824年,別爾澤留斯(BerzeliusJ.J.)——非晶Si;Si在地殼中的豐度為%,僅次于氧。三種同位素:28Si(%)
2025-05-05 03:55
【總結】化合物半導體器件DaiXianying化合物半導體器件CompoundSemiconductorDevices微電子學院戴顯英化合物半導體器件DaiXianying第三章半導體異質結?異質結及其能帶圖?異質結的電學特性?量子阱與二維電子氣?多量子阱與超晶格
【總結】(1-1)電工學2電子技術(1-2)概述電子技術:研究電子器件、電子電路和系統(tǒng)及其應用的技術。電子技術?模擬電子技術數(shù)字電子技術(1-3)模擬信號:在時間上和數(shù)值上具有連續(xù)變化的特點;t數(shù)字信號:在時間上和數(shù)值上是離散的,突變。等矩形波t尖頂波
2025-01-14 10:17
【總結】9-1PN結及半導體二極管9-3晶體管9-4場效應管9-2特殊二極管一、半導體材料元素半導體材料有硅Si和鍺Ge等,它們都是4價元素.化合物半導體由大多數(shù)金屬氧化物、硫化物及砷化物組成等。導電特點:1、其能力容易受溫度、光照等環(huán)境因素影響2、在純凈的半導體中摻入微量雜質可以顯著提
2025-01-14 10:04
【總結】半導體激光器光刻工藝李璟半導體激光器光刻工藝?光刻工藝步驟?808大功率激光器光刻流程?光刻質量要求光刻工藝步驟以正型光刻膠為例:808大功率激光器光刻工藝?工藝步驟:外延材料生長?一次光刻(腐蝕臺面)?介質膜生長?二次光刻(腐蝕介質膜)
2025-04-29 04:29
【總結】1氣體激光器2氣體激光器?工作物質:氣體或蒸汽?優(yōu)點:?。由于工作物質的光學均勻性遠比固體好,易于獲得衍射極限的高斯光束,?。氣體工作物質的譜線寬度遠比固體小,激光的單色性好。缺點:體積比較大。由于氣體的激活粒子密度較固體小,需要較大體積的工作物質才能獲得足夠的功
2025-01-14 23:02
【總結】1第一章迄今大約有60種主要的器件以及100種與主要器件相關的變異器件。4種基本半導體器件結構。金屬-半導體接觸(1874):整流接觸,歐姆接觸。金半場效應晶體管(MESFET):整流接觸,柵極;歐姆接觸,漏極、源極。微波器件。p-n結:半導體器件的關鍵基礎結構;p-n-p雙極型晶體管(1947),p-n-p-n結構的可控硅器件。
2025-05-07 12:40