半導(dǎo)體工藝概述ppt課件(參考版)
2025-05-10 12:40本頁面
【正文】 在 N2H2氣氛下 450℃ 2030分鐘 鈍化和開壓焊孔。 采用電子束蒸發(fā)或濺射的方法淀積AlSi合金 ， 利于解決電遷移現(xiàn)象 刻蝕金屬化層 ，形成最后互連 。 否則在臺階邊緣上金屬化鋁條容易發(fā)生斷裂 。 硼離子注入劑量 5*1015cm2， 能量 100keV. 離子注入退火和推進：在 N2下退火 ， 并將源 、 漏區(qū)推進 ， 形成 ~、 漏區(qū) 。 光刻 N阱中 PMOS區(qū)的多晶硅 ， 形成 PMOS多晶硅柵 ， 去掉沒有多晶硅覆蓋的 PMOS區(qū)柵氧化層 ， 確定 PMOS源 、漏區(qū) 。 磷離子注入 ， 形成 NMOS源 、 漏區(qū) 。 柵氧化：在HCl氣氛中干氧氧化生長 SiO2 約40nm。 對 N阱中場區(qū)部分磷離子注入 ， 防止寄生溝道影響 。 其次低壓 CVD氮化硅 ， 用于掩蔽氧化， 厚度 100nm 確定 NMOS有源區(qū)：利用第二塊掩膜版，經(jīng)曝光、等離子刻蝕，保留 NMOS有源區(qū)和 N阱區(qū)的氮化硅，去掉場區(qū)氮化硅，NMOS場區(qū)硼注入，劑量 1*1013cm2，能量 120keV，防止場區(qū)下硅表面反型，產(chǎn)生寄生溝道。同時生長一層約 200nm的氧化層 。 溫度1150℃ ， 時間60分鐘 。 細菌 ? 細菌是在水的系統(tǒng)中或不定期清洗的表面生成的有機物，細菌一旦在器件上生成，會成為顆粒狀污染物或給器件表面引入不希望的金屬離子。 Na+ K+ Fe3+ Mg2+ Al3+ 較常見的可移動離子 化學(xué)物質(zhì) ? 工藝過程中所用的化學(xué)用品和可能會受到對芯片產(chǎn)生污染，導(dǎo)致晶片表面受到不需要的刻蝕，在器件上生成無
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