半導體器件習題ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:44本頁面
【正文】 0 XB=1?m nB(x) nB(0) NB=1017/cm3 AE=104cm2 DnB=18cm2/s 。 ? (2)計算集電極電流 IC。 ? (2)計算這種結構的基區(qū) Gummel數。（ b）估計厄爾利電壓。 VEB=。 DB=10cm2/s， ?B0=5?107s。 T=300K。（ c）計算中性區(qū)寬度。晶體管的摻雜濃度為NE=1017cm3， NB=1016cm3， NC=1015cm3。但實際的 PN結與它有差異，主要是因為沒有考慮以下效應（ 1）表面效應（ 2）勢壘區(qū)中的載流子產生和復合（ 3）大注入效應（ 4）串聯(lián)電阻效應 000 1qVn p p n kTnpD n D pJ q eLL????? ? ??????? ??復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 復習 PN結 第十章作業(yè) ? npn型硅雙極晶體管工作于正向有源區(qū)， BC結加反偏電壓 3V。這個勢壘的存在使整個結構在結區(qū)形成能帶彎曲，其彎曲高度稱為勢壘高度，它恰恰補償了原來兩邊半導體中費米能級的高度差，使兩邊達到等高的同意費米能級。 復習 PN結 ? PN結是將同種半導體材料的 N型和 P型兩部分緊密結合在一起，在交界處形成一個結，即稱為 PN結，為實現“緊密接觸”一般采用合金法、擴散法、外延
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