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半導(dǎo)體器件習(xí)題ppt課件-資料下載頁

2025-05-06 12:44本頁面
  

【正文】 8 10. 8 10. 8 復(fù)習(xí) 肖克萊方程 復(fù)習(xí) 肖克萊方程 第十章作業(yè) ? pnp型硅雙極晶體管,其參數(shù)為 NE=1018cm3, NB=1016cm3,NC=1015cm3。 T=300K。冶金結(jié)基區(qū)寬度為 μm。 DB=10cm2/s, ?B0=5?107s。假設(shè)基區(qū)中的少子空穴按線性分布。 VEB=。( a)計(jì)算 VBC=5V, VBC=10V , VBC=15V三種情況下基區(qū)中的空穴擴(kuò)散電流密度。( b)估計(jì)厄爾利電壓。 10. 34 10. 34 () (P214例 ) 10. 34 10. 34 10. 34 10. 34 10. 34 ? 1. 某一晶體管,它的基區(qū)摻雜濃度從pp(0)=2?1017/cm3 到 pp(WB)=2?1014/cm3線性變化,其中, WB=?m ? (1)計(jì)算 x=WB/2處,由于載流子濃度梯度產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度。 ? (2)計(jì)算這種結(jié)構(gòu)的基區(qū) Gummel數(shù)。 ? 2. 下圖給出基極某偏置條件下 Sinpn晶體管基區(qū)電子密度分布圖 ? (1)計(jì)算在 VBE=,基區(qū)電子密度梯度dnB/dx。 ? (2)計(jì)算集電極電流 IC。 ? (3)在發(fā)射區(qū)靠近發(fā)射結(jié)處,空穴電流密度為?104A/cm2,計(jì)算 ?值。 0 XB=1?m nB(x) nB(0) NB=1017/cm3 AE=104cm2 DnB=18cm2/s
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