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正文內(nèi)容

電力電子半導(dǎo)體器件scr-資料下載頁

2025-04-30 01:43本頁面
  

【正文】 用電容電壓不能突變的特性減慢電壓上升速率。 ④門極觸發(fā)脈沖的強(qiáng)觸發(fā)和觸發(fā)脈沖前沿的一致性,也對(duì)均壓有益。 3.串聯(lián)時(shí),管子額定電壓 VTN選擇 Vm:工作電壓的峰值 二、 SCR并聯(lián) SCR電流等級(jí)不合適或使用時(shí)為減少 di/dt,開關(guān)損耗。 存在均流問題,多個(gè) SCR并聯(lián)時(shí),管壓降一致,但 SCR導(dǎo)通時(shí)電阻很小,達(dá)到電流一致很困難,而且電流大的結(jié)溫高,導(dǎo)通電阻更小,電流更大。 定義:均流系數(shù) 各支路電流之和 各支路中最大的支路電流值 并聯(lián)支路數(shù) 1.靜態(tài)均流: SCR導(dǎo)通時(shí)的均流措施。 ①選擇伏安特性一致的器件。 ②加均流電阻。 當(dāng)串聯(lián)的均流電阻 Rron時(shí),起均流作用, R越大,效果越好。 改變 R阻值,可調(diào)整各支路電流。 R電阻有功率損耗。 2.動(dòng)態(tài)均流: SCR從截止 → 導(dǎo)通過渡過程和從導(dǎo)通 → 截止過渡過程中,由于器件開通延遲時(shí)間和關(guān)斷延遲時(shí)間不一致,造成動(dòng)態(tài)不均流。其中,截止 → 導(dǎo)通過渡過程中,動(dòng)態(tài)不均流會(huì)導(dǎo)致?lián)p壞管子。而導(dǎo)通 → 截止過渡過程中,由于器件在導(dǎo)通時(shí),陽極導(dǎo)電面積大,而且電流在減小,可承受一定的過流。 ①選開通時(shí)間一致的 SCR。②門極強(qiáng)脈沖觸發(fā)。③均流變壓器。 ④合理布線。 電感均流 均流變壓器 3.并聯(lián)時(shí)電流額定值選擇 并聯(lián)臂平均電流 總結(jié): SCR同時(shí)串聯(lián)、并聯(lián)時(shí),應(yīng)先串后并。 大功率設(shè)備中,采用變壓器二次繞組分組方式,獨(dú)立整流,輸出成組串聯(lián)、并聯(lián)。 ——裝置串、并聯(lián)。 三、 SCR保護(hù) 可控硅系統(tǒng),承受過電壓、過電流能力較差,短時(shí)間過電流、過電壓將會(huì)損壞器件。但設(shè)計(jì)時(shí)不能根據(jù)過電壓、過電流值確定電路參數(shù),應(yīng)充分發(fā)揮器件的過載能力,主要靠保護(hù)電路來提高可靠性。 (一)過電流及保護(hù) 過電流原因很多,如: SCR損壞,觸發(fā)電路故障,控制系統(tǒng)故障,交流電壓過高、過低或缺相,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障等。 SCR過載能力主要受 結(jié)溫 限制,一般,風(fēng)冷器件 1150C,水冷器件 1000C,在冷卻條件下: 流過兩倍通態(tài)平均電流時(shí),耐受時(shí)間 流過三倍通態(tài)平均電流時(shí),耐受時(shí)間 60ms 流過六倍通態(tài)平均電流時(shí),耐受時(shí)間 20ms(一個(gè)周期) 按此特性,用有效值換算,與保護(hù)電器相配合,進(jìn)行保護(hù)設(shè)計(jì)。 保護(hù)方法: 1.快速熔斷器: 普通熔斷器由于動(dòng)作慢不能用于 SCR保護(hù),快速熔斷器熔斷時(shí)間極短,如:日產(chǎn) FAF150C型, 6倍額定電流時(shí),一個(gè)周波即可熔化。 特性。 熔斷為物理過程,一般不用做過載保護(hù),只用于短路保護(hù)。 主要參數(shù):熔斷特性,分?jǐn)嗄芰?,斷開時(shí)瞬時(shí)電壓和 快速熔斷器的用法: 2.快速開關(guān)和過流繼電器 ① 過流繼電器:由電流互感器取得交流側(cè)信號(hào),過流時(shí) 1~2ms既可動(dòng)作,常用來斷開門極或斷開主回路,使快速熔斷器不動(dòng)作。 ②過負(fù)荷熱繼電器:安裝在交流側(cè),進(jìn)行過負(fù)荷熱保護(hù),動(dòng)作時(shí)間長。 ③快速開關(guān):直流快速斷路器,分?jǐn)鄷r(shí)間 10ms。 使用 快速開關(guān)和過流繼電器,應(yīng)先于快速熔斷器動(dòng)作,可不用經(jīng)常更換快熔。 3.反饋控制過流保護(hù) 動(dòng)作速度快,由過流元件檢測(cè),控制觸發(fā)角,封鎖驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 (二)過電壓及保護(hù) 過壓會(huì)使 SCR擊穿,它比過流更具破壞性。 1.過電壓原因: ①合閘時(shí)操作過電壓;(變壓器分布電容引起) ②分閘時(shí)操作過電壓;(變壓器儲(chǔ)能) ③快熔分?jǐn)鄷r(shí)過電壓;(過流保護(hù)動(dòng)作) ④換相沖擊電壓;(換相過電壓和換相振蕩過電壓) ⑤雷擊等外來沖擊引起的過電壓; 2.過電壓保護(hù) ①用非線性元件限制過電壓幅度;(壓敏電阻,硒堆) ②用電阻消耗產(chǎn)生過壓的能量; ③用儲(chǔ)能元件吸收產(chǎn)生過壓的能量; 輸入交流側(cè)過電壓保護(hù) 直流側(cè)保護(hù):過電壓保護(hù), RC吸收回路 I 10 20 50 100 200 CuF R 100 80 40 20 10 (三) dv/dt di/dt 限制 1. dv/dt 產(chǎn)生原因:電網(wǎng)突變,換相過程。 限制 dv/dt 可在電源輸入端串聯(lián)電抗器。 2. di/dt產(chǎn)生原因: SCR導(dǎo)通時(shí),阻容保護(hù)中電容向 SCR放電; 交流電源通過 SCR向負(fù)載電容充電; 直流側(cè)負(fù)載短路; 合理選擇 RC回路參數(shù),橋臂串聯(lián)電抗,如:空心電抗器 或在母線上套磁環(huán)。
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