freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

半導體器件原理與工藝-資料下載頁

2025-02-21 15:11本頁面
  

【正文】 32/0 00 0 0投影射程: 半導體器件原理與工藝 Monte Carlo Simulation of 50keV Boron implanted into Si 半導體器件原理與工藝 離子注入損傷與退火 退火的作用: 退火的方法: :用高溫爐把硅片加熱至8001000℃ 并保持 30分鐘 特點:方法簡單,設備兼容,但高溫長時間易導致雜質(zhì)的再擴散。 半導體器件原理與工藝 Implantation Damage ? 入射離子與晶格碰撞產(chǎn)生原子移位 ,形成損傷。 ? 熱處理可以消除損傷和激活雜質(zhì) ? 損傷閾值 半導體器件原理與工藝 Implantation Damage ? 晶體中的缺陷 ?一次缺陷 primary defects ?二次缺陷 Secondary defects ? 點缺陷重新組合并擴展形成的,如位錯環(huán) 半導體器件原理與工藝 Implantation Damage ? 等時退火 ?激活載流子 ?減小二次缺陷 ? SPE 半導體器件原理與工藝 Rapid Thermal Processing ? 減小了雜質(zhì)再分布 ? 工藝簡單 ? 硅化物的形成 ? 熱塑應力 半導體器件原理與工藝 離子注入的應用舉例 ? SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) ? 4000 197。 of buried oxide requires a high oxygen dose of 2E18/cm2 半導體器件原理與工藝 離子注入的應用舉例 ? Ion Cut Hydrogen Implantation
點擊復制文檔內(nèi)容
教學課件相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1