半導(dǎo)體器件課時(shí)ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 10:04本頁面
【正文】 點(diǎn)： iB=0， iC= ICEO ≈0 非線性失真 注意：對(duì)于 PNP管，失真的表現(xiàn)形式，與 NPN管正好相反。 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)正偏 發(fā)射結(jié)反偏 線性范圍（動(dòng)態(tài)范圍） 線性范圍 —— 用 最大不失真輸出幅度 Vom來衡量 Q點(diǎn)偏高 —— 易出現(xiàn)飽和失真， Vom為 Q點(diǎn)到飽和區(qū)邊沿的距離 Q點(diǎn)偏低 —— 易出現(xiàn)截止失真， Vom為 Q點(diǎn)到截止區(qū)邊沿的距離 四、 BJT的主要參數(shù) 交流參數(shù) 直流參數(shù) 極限參數(shù) 結(jié)電容 Cb’c 、 Cb’e 集電極最大允許電流 ICM 集電極最大允許功率損耗 PCM 反向擊穿電壓 極間反向電流 ICBO 、 ICEO 交流電流放大系數(shù) ? 、 ? 直流電流放大系數(shù) ? 、 ? 特征頻率 fT FET分類： 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 N溝道 P溝道 P溝道 94 場(chǎng)效應(yīng)管 一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)構(gòu) 三個(gè)電極： g —— 柵極 d —— 漏極 s —— 源極 導(dǎo)電溝道： 兩個(gè) PN結(jié)中 間的區(qū)域 符號(hào)： p++pd漏極源極 s柵極 gNgsdN溝道 gdsP溝道 二、金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 Metal Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱 MOSFET。也稱作 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 （ 1）結(jié)構(gòu) 漏極 d，源極 S，柵極 g 和 襯底 b。 gsdb符號(hào)： N+ +NP 襯底s g db源極 柵極 漏極襯底 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET N溝道耗盡型 MOSFET 特點(diǎn)： 當(dāng) vGS=0時(shí)，就有溝道，加入 vDS， 就有 iD。 當(dāng) vGS＞ 0時(shí)，溝道增寬，iD進(jìn)一步增加。 當(dāng) vGS＜ 0時(shí)，溝道變窄，iD減小。 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當(dāng)vGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。 g 漏極s+N襯底P 襯底源極 d柵極bN++++ ++++++ + +sbgdGDS襯底( a ) N 溝道增強(qiáng)型GDS襯底( b ) N 溝道耗盡型GDS( c ) N 溝道 M O S 管簡(jiǎn)化符號(hào)GDS襯底( d ) P 溝道增強(qiáng)型GDS襯底( e ) P 溝道耗盡型GDS( f ) P 溝道 M O S 管簡(jiǎn)化符號(hào) MOS場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào) 三、場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn) 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件 , 通過 vGS來控制 iD。 場(chǎng)效應(yīng)管輸入端幾乎沒有電流 , 所以其直流輸入電阻和交流輸入電阻都非常高 。 由于場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電的 , 因此 , 與雙極性三極管相比 , 具有噪聲小 、 受幅射的影響小 、 熱穩(wěn)定性較好而且存在零溫度系數(shù)工作點(diǎn)等特性 。 由于場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)對(duì)稱 , 有時(shí)漏極和源極可以互換使用 , 而各項(xiàng)指標(biāo)基本上不受影響 , 因此應(yīng)用時(shí)比較方便 、 靈活 。 場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝簡(jiǎn)單 , 有利于大規(guī)模集成 。
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