第8章半導(dǎo)體器件-資料下載頁
2025-09-25 19:16本頁面
【正文】 是耗盡型 MOS管的參數(shù)。 (3) 柵源直流輸入電阻 。指柵源電壓和柵極電流的值。MOS管的 一般大于 。 (4) 最大漏源擊穿電壓 。指漏極和源極之間的擊穿電壓(漏區(qū)和襯底間的 PN結(jié)反向擊穿 )，即 開始急劇上升時的 值。 (5) 最大漏極電流 和最大耗散功率 。 (6) 低頻跨導(dǎo) 。在 為某一固定值時，漏極電流的微小變化 和相應(yīng)的柵源輸入電壓變化量 之比，即 GS(off)U GS(th)UGS(th)UDSSIGSRGSR 910?(BR)DSUDIGSUDMI DMPmgGSUD?IGS?UDSDmGSUIgU ???? 常 數(shù) 光 電 器 件 發(fā)光二極管 1. 基本結(jié)構(gòu) (a) 結(jié)構(gòu)外形 (b) 電路圖形符號 圖 發(fā)光二極管 2. 工作原理 當(dāng)發(fā)光二極管外加正向電壓時，發(fā)光二極管正向?qū)?，?N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的電子和由 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴，在 PN結(jié)附近數(shù)微米區(qū)域內(nèi)復(fù)合，釋放出能量，從而發(fā)出一定波長(375nm～ 700nm)的紅光、藍(lán)光或黃光等。紅、黃、藍(lán)三種光“混合”后，能產(chǎn)生出白光 光電耦合器 光電耦合是以光信號為媒介來實現(xiàn)電信號的耦合和傳遞的。 1. 光電耦合器 圖 光電耦合器組成及傳輸特性 集電極電流 與管壓降 之間的函數(shù)關(guān)系，即 在 ce之間電壓一定的情況下， 的變化量與 的變化量之比稱為傳輸比 CTR，即 Ci CEuDC C E()? Ii f uCi DiCECDC TR /?? Uii2. 光電耦合放大電路 圖 光電耦合放大電路
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1