半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(2)-資料下載頁
2025-05-10 12:03本頁面
【正文】 I I IggV V V VI I I IggV V V V? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?T 半導(dǎo)體器件 小信號模型 1 iB iC vBE vCE 11 1221 22b be c ec be c ei g v g vi g v g v????T 半導(dǎo)體器件 小信號等效電路 ? 混合 ?模型 在放大偏置模式下并假定基區(qū)寬度調(diào)制可忽略，由 EM方程： /0/0/012 22( 1 )0 。 0EBEBEBE B E BqV KTEFqV KTC F FqV KTB E C F FBCE C E CVVI I eI I eI I I I eIIggVV????? ? ? ???? ? ? ? ???半導(dǎo)體器件 小信號模型 1 21111/mggrg???半導(dǎo)體器件 混合 ?模型 1 ? 跨導(dǎo) gm 1. gm正比于 Ic，反比于 T。 2. gm只決定于工作電流及工作溫度，與器件所用材料無關(guān)。 3. 跨導(dǎo)與器件的結(jié)面積的大小無關(guān)。 半導(dǎo)體器件 混合 ?模型 2 ? 輸入電阻 r? 1 1 1( / ) /ECC dcB E B B B m mVIrI V qI K T I g g??? ? ? ???半導(dǎo)體器件 小信號模型 1 21111212 221/1/1 / ( )moggrgrgr g g????????半導(dǎo)體器件 瞬態(tài)響應(yīng) ? 開關(guān)工作 ? 器件在開態(tài)和關(guān)態(tài)之間切換 ? 開關(guān)晶體管的靜態(tài)參數(shù)包括 臨界飽和電流增益 、 飽和深度 、 開態(tài)阻抗 及 關(guān)態(tài)阻抗 。 臨界飽和電流增益： 半導(dǎo)體器件 瞬態(tài)響應(yīng) 1 ? 飽和深度（過驅(qū)動因子） ? 關(guān)態(tài)阻抗 ? 開態(tài)阻抗 過驅(qū)動電流 半導(dǎo)體器件 開關(guān)時間 開啟時間 關(guān)斷時間 半導(dǎo)體器件 瞬態(tài)開啟特性 ?基極輸入電壓脈沖的上升沿到來之后，集電極電流從截止態(tài)小電流上升到飽和態(tài)大電流的過程。 ?包含延遲過程和上升過程 ?延遲過程是發(fā)射結(jié)過渡區(qū)電容的充電過程 半導(dǎo)體器件 關(guān)斷時間 ?始于基極輸入電壓脈沖的下降沿，集電極電流下降到反向電流值結(jié)束 ?包含退飽和過程和下降過程 ?退飽和過程和下降過程的界限是 VBC=0 半導(dǎo)體器件 小結(jié) ? 小信號模型 ?小信號模型的定義 ?混合 ?模型 ?特征頻率和截止頻率 ? 瞬態(tài)模型 ?上升時間 ?下降時間
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