c11新半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)稿-資料下載頁(yè)
2024-12-07 21:40本頁(yè)面
【正文】 + + + + E PN結(jié)正向偏置 內(nèi)電場(chǎng)被削弱 PN結(jié)變窄 PN結(jié)呈現(xiàn)低阻、導(dǎo)通狀態(tài) 多子進(jìn)行擴(kuò)散 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E PN結(jié)正偏動(dòng)畫演示 內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng) PN結(jié)變寬 PN結(jié)呈現(xiàn)高阻、截止?fàn)顟B(tài) 不利多子擴(kuò)散 有利少子漂移 2． PN結(jié)反向偏置 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E 因少子濃度主要與溫度有關(guān)，反向 電流與反向電壓幾乎無(wú)關(guān)。 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E 此電流稱為 反向飽和電流，記為 IS。 PN結(jié)反偏動(dòng)畫演示 (1) 勢(shì)壘電容 CB（ Barrier) 勢(shì)壘電容是由 空間電荷區(qū) 的離子薄層形成 表現(xiàn)為： 勢(shì)壘電容 CB（ barrier) 擴(kuò)散電容 CD (diffusion) .4 電容效應(yīng) PN結(jié)變窄 空間電荷層中的電荷量減少 a. 當(dāng) PN結(jié)正反偏置電壓降低時(shí) U+?U (?U0) LL ??N P + + + + PN結(jié)變寬 空間電荷層中的電荷量增大 b. 當(dāng) PN結(jié)反向偏置電壓升高時(shí) 可見，空間電荷量隨著 PN結(jié)偏置電壓的變化而變化。 這種電容效應(yīng)用勢(shì)壘電容 CB表征。 U+?U (?U0) LL ??N P + + + + + + + + + + + + 非平衡少子的積累 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時(shí)的少子常稱為 平衡少子 PN結(jié)處于正向偏置時(shí)，從 P區(qū)擴(kuò)散到 N區(qū)的空穴和從N區(qū)擴(kuò)散到 P區(qū)的自由電子均稱為 非平衡少子 。 (2) 擴(kuò)散電容 CD(Diffusion) △ U變化時(shí)， P區(qū)積累的非平衡少子濃度分布圖 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 電子濃度 3 2 1 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 擴(kuò)散電容是由 多子擴(kuò)散 后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面 積累 而形成的 UQC???D這種電容效應(yīng)用擴(kuò)散電容 CD表征 。 PN結(jié)正向偏置電壓越高 ， 非平衡少子的積累越多 。 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 小結(jié) PN結(jié)結(jié)電容 Cj Cj = CD + CB 當(dāng) PN結(jié)正偏時(shí) Dj CC ?BD CC ??當(dāng) PN結(jié)反偏時(shí) Bj CC ?DBCC ??
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