c11新半導體器件基礎(chǔ)稿-資料下載頁
2024-12-07 21:40本頁面
【正文】 + + + + E PN結(jié)正向偏置 內(nèi)電場被削弱 PN結(jié)變窄 PN結(jié)呈現(xiàn)低阻、導通狀態(tài) 多子進行擴散 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E PN結(jié)正偏動畫演示 內(nèi)電場增強 PN結(jié)變寬 PN結(jié)呈現(xiàn)高阻、截止狀態(tài) 不利多子擴散 有利少子漂移 2． PN結(jié)反向偏置 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E 因少子濃度主要與溫度有關(guān)，反向 電流與反向電壓幾乎無關(guān)。 P N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + R S E內(nèi) + + + + + + E 此電流稱為 反向飽和電流，記為 IS。 PN結(jié)反偏動畫演示 (1) 勢壘電容 CB（ Barrier) 勢壘電容是由 空間電荷區(qū) 的離子薄層形成 表現(xiàn)為： 勢壘電容 CB（ barrier) 擴散電容 CD (diffusion) .4 電容效應 PN結(jié)變窄 空間電荷層中的電荷量減少 a. 當 PN結(jié)正反偏置電壓降低時 U+?U (?U0) LL ??N P + + + + PN結(jié)變寬 空間電荷層中的電荷量增大 b. 當 PN結(jié)反向偏置電壓升高時 可見，空間電荷量隨著 PN結(jié)偏置電壓的變化而變化。 這種電容效應用勢壘電容 CB表征。 U+?U (?U0) LL ??N P + + + + + + + + + + + + 非平衡少子的積累 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時的少子常稱為 平衡少子 PN結(jié)處于正向偏置時，從 P區(qū)擴散到 N區(qū)的空穴和從N區(qū)擴散到 P區(qū)的自由電子均稱為 非平衡少子 。 (2) 擴散電容 CD(Diffusion) △ U變化時， P區(qū)積累的非平衡少子濃度分布圖 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 電子濃度 3 2 1 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 擴散電容是由 多子擴散 后，在 PN結(jié)的另一側(cè)面 積累 而形成的 UQC???D這種電容效應用擴散電容 CD表征 。 PN結(jié)正向偏置電壓越高 ， 非平衡少子的積累越多 。 P N + + + + UU Δ?. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 小結(jié) PN結(jié)結(jié)電容 Cj Cj = CD + CB 當 PN結(jié)正偏時 Dj CC ?BD CC ??當 PN結(jié)反偏時 Bj CC ?DBCC ??
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