c11新半導體器件基礎稿-在線瀏覽
2025-01-24 21:40本頁面
【正文】 質半導體 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 摻入少量五價雜質元素磷 P +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P多出一個電子 出現(xiàn)了一個正離子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 半導體中產生了大量的自由電子和正離子 N型半導體形成過程動畫演示 c. 電子是 多 數載流 子 ，簡稱 多子 。 ，稱這種半導體為 N (negative)型或 電子型半導體。 b. N型半導體中 產生了大量的 (自由）電子和正離子 。 (2) P型半導體 在本征半導體中摻入 三價雜質元素 ，如硼等。 ，稱這種半導體為 P (positive)型或空穴型半導體。 a. P型半導體是在本征半導體中 摻入少量的三價 雜質元素形成的。 小結 當摻入三價元素的密度大于五價元素的密度時，可將 N型轉為 P型； 雜質半導體的轉型 當摻入五價元素的密度大于三價元素的密度時，可將 P型轉為 N型。 2. 空穴移動產生的電流。本征半導體的導電能力越強。 本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。載流子數目劇增 T=300 K室溫下 ,本征硅的 電子和空穴濃度 : n = p = 1010/cm3 1 本征硅的原子濃度 : 1022/cm3 3 以上三個濃度基本上依次相差 106/cm3 2 摻雜后 N 型半導體中的 自由電子濃度 : n=5 1016/cm3 典型數據如下 : .1 形成 .2 實質 .4 電容效應 .3 單向導電性 PN結 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 以 N型半導體為基片 通過半導體擴散工藝 .1 PN結的形成 使半導體的一邊形成 N型區(qū)，另一邊形成 P型區(qū)。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P (2) 在濃度差的作用下，空穴從 P區(qū)向 N區(qū)擴散。在 P區(qū)和 N區(qū)交界面上，留下了一層不能移動的正、負離子。阻止兩區(qū)多子的擴散 PN結一方面阻礙多子的擴散 , 另一方面加速少子的漂移 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 當多子 擴散 和少子 漂移 達到 動態(tài)平衡，形成 PN結 勢壘 U0 形成電位勢壘 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P
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鄂ICP備17016276號-1