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2025-06-23 12:44本頁面
【正文】 ? ? ????????比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴散晶體管 的優(yōu)越性 ? 《 集成電路原理與設計 》 P66 ? 采用常規(guī) SBC結構的雙極型晶體管在發(fā)展中遇到兩個問題：一、縱向尺寸按比例縮小時，當xjE縮小到 200nm以下時， xjE小于發(fā)射區(qū)中少子的擴散長度，這將導致基極電流增大，增益下降；二、基區(qū)寬度的減少，又導致穿通現象的發(fā)生，解決穿通問題我們一般增加基區(qū)的摻雜濃度，但這會引起增益下降。因此可以保證在同等增益的情況下，提高基區(qū)摻雜濃度，克服了穿通現象。（ a）畫出其能帶圖，（ b）畫出器件中的電場，（ c）晶體管處于正向有源區(qū)時，重復（ a）和（ b）。計算 β， α和 iE。 10. 5 第十章作業(yè) ? npn型硅雙極晶體管工作于正向有源區(qū)， BC結加反偏電壓 3V。晶體管的摻雜濃度為NE=1017cm3， NB=1016cm3， NC=1015cm3。（ c）計算中性區(qū)寬度。 復習 PN結 ? 所產生的電勢差稱為自建電勢差，其作用是對載流子的擴散運動形成勢壘，使載流子通過結的凈流動為零，達到平衡。 ? 勢壘高度 0 2lnNP DD F FiN N Aq V E E k Tn? ? ?復習 PN結 ? PN結總電流（肖克萊方程）
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