【正文】
度 DB、 DE為基極、發(fā)射極少子擴(kuò)散系數(shù)、 xB、 xE為中性基極、發(fā)射極寬度, LB為基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度, Jr0、 Js0為零偏復(fù)合電流和飽和電流密度 20B E B BE B E B 01N D x x1 + e x pN D x 2 L 2r BEsJ eVJ k T? ??? ?????? ??????討論影響共射極電流增益的因素 ? ? ? xBE是 BE結(jié)耗盡層寬度, nB0熱平衡時(shí)基區(qū)少子濃度 00 200ln1NP DD F FiqVn p p n kTnpN N AqV E E k TnD n D pJ q eLL? ? ?????? ? ??????? ??討論影響共射極電流增益的因素 ? 愛因斯坦關(guān)系: ? ? P127表 ? 記住 Si材料中 T=300K時(shí)典型遷移率,表中所給出的是體內(nèi)的遷移率,提問:體內(nèi)的遷移率大還是體外的遷移率大? nnppD kTeD kTe????討論影響共射極電流增益的因素 ? ? 載流子在運(yùn)動(dòng)過程中主要受到兩種散射:電離雜質(zhì)散射、聲學(xué)波散射,詳細(xì)可以參閱 《 半導(dǎo)體物理 》 P123 3 / 23 / 21 1 1LILSITTN