半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)ppt課件-展示頁(yè)
2025-05-15 12:44本頁(yè)面
【正文】 Ｂｎ 與 Ｉ ＣＢＯ 之差： C B OBnB III ??(17) (18) 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 發(fā)射區(qū)注入的電子絕大多數(shù)能夠到達(dá)集電極 , 形成集電極電流 , 即要求 Ｉ Ｃｎ Ｉ Ｂｎ 。 Ｉ Ｅｎ 又分成兩部分 , 主要部分是 Ｉ Ｃｎ , 極少部分是 Ｉ Ｂｎ 。 Ｉ Ｅｎ 為發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子所形成的電流 , Ｉ Ｅｐ 是由基區(qū)向發(fā)射區(qū)擴(kuò)散的空穴所形成的電流 。 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 三極管的三種連接方式 be cIBIEIC( a ) 共基極beIBIEIC( b ) 共發(fā)射極beIBIEIC( c ) 共集電極cc圖 1 30 三極管的三種連接方式 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 三極管的放大作用 1. 載流子的傳輸過(guò)程 (1) 發(fā)射 (2) 擴(kuò)散和復(fù)合 (3) 收集 IBRbUBBeIENPNICRcUCCcb圖 1 – 31 三極管中載流子的傳輸過(guò)程 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 2. 電流分配 IBRbUBBeIENPNICRcUCCcIC nIC BObIB n圖 1 32 三極管電流分配 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 集電極電流 Ｉ Ｃ 由兩部分組成： Ｉ Ｃｎ 和 Ｉ ＣＢＯ , 前者是由發(fā)射區(qū)發(fā)射的電子被集電極收集后形成的 , 后者是由集電區(qū)和基區(qū)的少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)形成的 ,
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