【摘要】第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導(dǎo)體三極管的外形第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)三極管的結(jié)構(gòu)及類型圖1–29三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)
2025-05-09 12:44
【摘要】Chapter2BasicPropertiesofBipolarJunctionTransistorsFundamentalofSemiconductorDevices第二章雙極結(jié)型晶體管基本特性Chapter
2025-05-02 04:52
【摘要】(1-1)第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(1-2)導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性(1-3)
2025-05-15 01:41
【摘要】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運(yùn)四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號(hào)導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識(shí)9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
2025-05-14 12:03
【摘要】主講:劉園園2021年2月13509851820半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)晶體三極管場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)半導(dǎo)體材料根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半
【摘要】半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)內(nèi)部資料,注意保密課程說明?課程時(shí)長(zhǎng):4小時(shí)?授課方式:講授?必備條件:數(shù)投、便攜機(jī)、白板、擴(kuò)音設(shè)備?課程簡(jiǎn)介:通過對(duì)《半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)》課程的講解,使學(xué)員體會(huì)到產(chǎn)品進(jìn)行元器件失效分析的重要性和迫切性,本課程主要講授了器件常見失效模式、常見失效機(jī)理、失效分析流程、
2025-01-01 12:34
【摘要】中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices1半導(dǎo)體器件原理TheoryofSemiconductorDevices聯(lián)系方式中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系微電子專業(yè)2022/4/14SemiconductorDevices2前言半導(dǎo)體器件進(jìn)展中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理系
2025-04-16 23:58
【摘要】半導(dǎo)體器件習(xí)題-PN結(jié)和三極管田野3月14日作業(yè)?1、討論影響共射極電流增益的因素;?2、比較多晶硅發(fā)射極晶體管與擴(kuò)散晶體管的優(yōu)越性。1、討論影響共射極電流增益的因素??出現(xiàn)在P278表?其中NB、NE為基極、發(fā)射極摻雜濃度DB、
【摘要】1預(yù)祝各位同學(xué)在本門課程的學(xué)習(xí)中取得優(yōu)異成績(jī)!盧健康老師愿為大家學(xué)好本門課程盡心盡力!2課程名稱:模擬與數(shù)字電子技術(shù)教材:電子技術(shù)(電工學(xué)II比電工技術(shù)難但更有趣)史儀凱主編緒論一、內(nèi)容體系:1、模擬電子技術(shù)(教材第1~5章)重點(diǎn):第
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件1光電器件現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝天津工業(yè)大學(xué)光電器件2本章內(nèi)容?輻射躍遷與光的吸收?發(fā)光二極管?半導(dǎo)體激光?光
2025-01-17 10:23
【摘要】上頁返回1-1電子技術(shù)電工學(xué)II主講孫媛第一章半導(dǎo)體器件上頁返回1-3第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體的基本知識(shí)與PN結(jié)§二極管§穩(wěn)壓二極管§雙極結(jié)型晶體管§場(chǎng)效晶體管
2025-01-22 01:25
【摘要】9-1PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管9-3晶體管9-4場(chǎng)效應(yīng)管9-2特殊二極管一、半導(dǎo)體材料元素半導(dǎo)體材料有硅Si和鍺Ge等,它們都是4價(jià)元素.化合物半導(dǎo)體由大多數(shù)金屬氧化物、硫化物及砷化物組成等。導(dǎo)電特點(diǎn):1、其能力容易受溫度、光照等環(huán)境因素影響2、在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)可以顯著提
2025-01-17 10:04
【摘要】模塊一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原子Ge鍺原子Ge+4+4
2024-07-30 20:34
【摘要】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴(kuò)展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)●晶體管的頻率響應(yīng)●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓●P-N-P-N結(jié)構(gòu)●異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2025-05-09 12:47
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場(chǎng)效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和