【正文】 。 當 uGS＞ 0時，溝道增寬， iD進一步增加。 1( m A )DSu= 6V= 3VuuGS ( V )1D624i43= 5V( m A )243iDGS210 V( V )△ u GSi△DGSu△i△D(1117) N溝道增強型 MOS管的基本特性 uGS ＜ UT，管子截止 uGS ＞ UT，管子導通 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓uDS作用下，漏極電流 ID越大 (1118) 四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 耗盡型的 MOS管 UGS=0時就有導電溝道，加反向電壓才能夾斷。 在轉移特性曲線上， gm為的曲線的斜率。 感應出電子 VT稱為閾值電壓 (1114) UGS較小時，導電溝道相當于電阻將 DS連接起來， UGS越大此電阻越小。 增強型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 場效應管 絕緣柵場效應管 結型場效應管 (1109) N P P G S D G S D P 溝道增強型 (1110) P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 預埋了導電溝道 (1111) N 溝道耗盡型 P N N G S D 預埋了導電溝道 G S D 在柵極下方的 SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。???? ???RVgVV gsmgsi ??? ??)1( RgV mgs ?? ?Lgsmo RVgV ?????LdL RRR //??② 輸入電阻 )//( g2g1g3i RRRR ?? ③ 輸出電阻 do RR ?(1107) 絕緣柵場效應管 一、結構和電路符號 P N N G S D P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強型 (1108) 場效應管是電壓控制元件 ,多子導電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 (1101) 雙極型三極管與場效應三極管的比較 雙極型三極管 場效應三極管 結構 NPN型 結型 N溝道 P溝道 與 PNP型 絕緣柵 增強型 N溝道 P溝道 分類 C與 E一般不可 絕緣柵 耗盡型 N溝道 P溝道 倒置使用 D與 S有的型號可倒置使用 載流子 多子擴散少子漂移 多子漂移 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流源 電壓控制電流源 噪聲 較大 較小 溫度特性 受溫度影響較大 較小，且有零溫度系數(shù)點 輸入電阻 幾十到幾千歐姆 幾兆歐姆以上 靜電影響 不受靜電影響 易受靜電影響 集成工藝 不易大規(guī)模集成 適宜大規(guī)模和超大規(guī)模集成 (1102) 絕緣柵 增強 型 N 溝 P 溝 絕緣柵耗 盡 型 N 溝 道 P 溝 道 (1103) 場效應管 放大電路 （ 1）偏置電路及靜態(tài)分析 (1104) 分壓式自偏壓電路 直流通道 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－ VS= VG－ IDR ID= IDSS[1－ (VGS /VP)]2 VDS= VDD－ ID(R+Rd ) 由此可以解出 VGS、 ID和 VDS。 第二種命名方法是 CS ， CS代表場效應管， 以數(shù)字代表型號的序號， 用字母代表同一型號中的不同規(guī)格。第二位字母代表材料， D是 P型硅，反型層是 N溝道； C是 N型硅 P溝道。 (199) (2) 場效應三極管的型號 場效應三極管的型號 , 現(xiàn)行有兩種命名方法。 5. 低頻跨導 gm 低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制作用， gm可以在轉 移特性曲線上求取，單位是 mS (毫西門子 )。 3. 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場效應三極管 , 當 VGS=0時所對應的漏極電流。 (195) 耗盡型 MOSFET的特性曲線 絕緣柵場效應管 N 溝 道 耗 盡 型 P 溝 道 耗 盡 型 (196) (197) 場效應三極管的參數(shù)和型號 一、 場效應三極管的參數(shù) 1. 開啟電壓 VT 開啟電壓是 MOS增強型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值 , 場效應管不能導通 。 VGS＜ 0時，隨著 VGS 的減小 ID 逐漸減小，直至 ID=0。 因此，使用時 無須加開啟電壓（ VGS=0），只要加漏源電壓，就會有漏極電流。 其量綱為mA/V，稱 gm為 跨導 。由于預夾斷區(qū)呈現(xiàn)高阻，而未夾斷溝道部分為低阻，因此， VDS增加的部分基本上降落在該夾斷區(qū)內，而溝道中的電場力基本不變，漂移電流基本不變，所以，從漏端溝道出現(xiàn)預夾斷點開始， ID基本不隨 VDS增加而變化。源區(qū)的自由電子在 VDS電場力的作用下，仍能沿著溝道向漏端漂移，一旦到達預夾斷區(qū)的邊界處，就能被預夾斷區(qū)內的電場力掃至漏區(qū)，形成漏極電流。 A (189) 當 VDS為 0或較小時 ， VGD＞VT， 此時 VDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。 可見，在 VDS作用下導電溝道的深度是不均勻的，溝道呈錐形分布。 形成 N源區(qū)到 N漏區(qū) VDSI D (187) 柵源電壓 VGS對漏極電流 ID的控制作用 (188) 2 .漏源電壓 VDS對溝道導電能力的影響 當 VGS＞ VT且固定為某值的情況下， 若給漏源間加正電壓 VDS則源區(qū)的自由電子將沿著溝道漂移到漏區(qū)，形成漏極電流 ID， 當 ID從 D ? S流過溝道時，沿途會產(chǎn)生壓降，進而導致沿著溝道長度上柵極與溝道間的電壓分布不均勻 。這樣，就實現(xiàn)了輸入電壓 VGS 對輸出電流 I D 的控制 。這時，若在漏源間加電壓 VDS，就能產(chǎn)生漏極電流 I D， 即管子開啟。 通過柵極和襯底間的電容作用，將柵極下方 P型襯底表層的空穴向下排斥，同時，使兩個 N區(qū)和襯底中的自由電子吸向襯底表層，并與空穴復合而消失，結 (186) 1 . 柵源電壓 VGS的控制作用 的 N型溝道。漏源間仍無載流子的通道。時， 00 ?? DGS iv耗盡型 ： 存在導電溝道， N溝道 P溝道 增強型 N溝道