半導體器件概論ppt課件(參考版)
2025-05-09 12:44本頁面
【正文】 第一章 半導體器件 要點： ： 從穩(wěn)壓管的主要作用是穩(wěn)定輸出電壓這點出發(fā)了解其性能特點，并結合其外特性了解應具備何種工作條件才能使其穩(wěn)壓？ ： 三極管的主要作用是放大，由此了解為何能放大？它放大什么物理量？結合其外特性了解應具備哪些條件才能使其放大？ 外因（ 外部條件 ）通過內因（ 內部機理、根據 ）而起作用。 即： ︱ UBE ︱ ≥ ︱ UCE ︱ ， ?IBIC， UCE?0 (3) 截止區(qū)： ︱ UBE︱ 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 75 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當 USB = 2V、 2V、 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ 當 USB =2V時： IB=0 ， IC=0 Q位于截止區(qū) IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 76 USB =2V時： USC=UCE+ICRC UCE= Q處于放大區(qū) IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 77 USB =5V時 : Q 位于飽和區(qū)，此時 IC 和 IB 已不是 ? 倍的關系。 PC?PCM 73 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作區(qū) （ SOA） 74 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結正偏，集電結反偏。手冊上給出的數值是 25?C、 基極開路時的擊穿電壓 U(BR)CEO。三極管的溫度特性較差 。 69 （ 3）集 射極反向截止電流 ICEO（穿透電流） ?A ICEO ICEO≈（ 1＋ ?） ICBO 70 （ 4）集電極最大電流 ICM 集電極電流 IC 上升會導致三極管的? 值的下降，當 ? 值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為 ICM。 共射 直流 電流放大倍數 ： BC_ _ _II??（ 1）電流放大倍數 ? ___?66 工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。 64 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 當 UCE大于一定的數值時， IC幾乎與 UCE無關，只與 IB有關，IC=?IB。 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管UBE?~。 對 PNP型管子，電源極性與 NPN型管子 相反， UBE0 UCE0。 IC=ICE+ICBO?ICE IBE 2 ICE ECEB 56 IB=IBEICBO?IBE IB 3 B E C N N P EB RB Ec IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE 57 4 ICE與 IBE之比稱為電流放大倍數 要使三極管能放大電流， 必須使發(fā)射結正偏 , 集電結反偏（ 這是放大的外部條件） ； 即： ︱ UBE ︱ ︱ UCE ︱ 并且 對 NPN型管滿足 UBE0 ， UCE0 ； 對 PNP型管滿足 UBE0 ， UCE0 。 55 B E C N N P EB RB Ec IE 集電結反偏，有少子形成的反向電流 ICBO。 IE 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 半導體三極管（ 簡稱晶體管 ） —— 電子技術最核心的基本元件 作用： （電流）放大 51 基本結構 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 NPN型 P N P 集電極 基極 發(fā)射極 B C E PNP型 52 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 結構上 (不對稱 ）的這種特征是放大的內部條件 。 I U 照度增加 注意小箭頭方向！ 49 * 發(fā)光二極管 有 正向 電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 iUIZIZULR 0URUo Ui I R IZ UZ RL 47 練習與思考： 、 、 作業(yè)： 作業(yè)集 題目： 、 、 、 （交作業(yè)要求：全部都
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