半導體器件與工藝ppt課件(參考版)
2025-01-15 09:19本頁面
【正文】 補充內(nèi)容 。 第二位： A為鍺 PNP管、 B為鍺 NPN管、 C為硅 PNP管、 D為硅 NPN管。 晶體管的開關特性 開關晶體管的飽和壓降 晶體管的共發(fā)射極飽和壓降是晶體管處于飽和狀態(tài)時，集電極和發(fā)射極之間的電壓降。這樣既可以減小集電區(qū)少子壽命。 ④ 減小基區(qū)寬度，可使 和 時間大大降低。 ③減小結面積，這可有效地縮短 、 、 。 貯存電荷 晶體管的開關特性 下降過程 在貯存過程結束后 ， 晶體管中的電荷分布又回到和上升過程結束時相同的情況 ， 在下降過程中 ， 集電結從零偏壓降到負偏壓 ， 發(fā)射結的正向偏壓從 開始下降 。 隨著發(fā)射結偏壓的上升 ， 注入到基區(qū)的電子增多 ， 電子的濃度梯度增大 ， 集電極電流也隨著增大 ， 這就是上升過程 。 由于發(fā)射結勢壘電容電壓不能突變 ， 也就是發(fā)射結仍然保持在負偏壓或零偏壓的狀態(tài) ， 所以沒有析從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū) 。 晶體管的開關特性 理想晶體管的開關波形 晶體管的開關特性 實際晶體管的開關波形 晶體管的開關特性 延遲過程 在晶體管開啟以前 ， 晶體管處于截止態(tài) ， 發(fā)射結和集電結都處于反向偏置 ， 因此它們的勢壘區(qū)是比較寬的 ，勢壘區(qū)中有比較多的空間電荷 。 使晶體管由放大區(qū)進入飽和區(qū)的臨界基極電流稱為臨界飽和基極電流 。 晶體管的開關特性 飽和區(qū) 在飽和狀態(tài)時 ， 晶體管的發(fā)射結處于正向偏置 ， 發(fā)射結偏壓約為 ， 而 C， E間的壓降約為 。晶體管的開關作用是通過基極輸入脈沖控制集電極回路的通斷來實現(xiàn)的。 晶體管的功率特性 不使晶體管損壞和老化 ， 而且工作可靠性又較高的區(qū)域叫做安全工作區(qū) 。 晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿 晶體管的功率特性 二次擊穿機理 —電流集中二次擊穿 在晶體管內(nèi)部出現(xiàn)電流局部集中，形成過熱點，導致該處發(fā)生局部熱擊穿的結果。 晶體管的功率特性 晶體管的二次擊穿 當集電極反向偏壓增大到某一值時 ， 集電極電流急劇增加 ， 出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象 ， 這個首先出現(xiàn)的擊穿現(xiàn)象稱為一次擊穿 。 ② 在接觸界面處涂覆硅脂 。 降低外熱阻：可以通過減小接觸熱阻，增大散熱面積來實現(xiàn)。 晶體管的熱阻是表征晶體管工作時所產(chǎn)生的熱量向外散發(fā)的能力 ， 它表示晶體管散熱能力的大小 。顯然與最高結溫對應的耗散功率就是晶體管的最大允許耗散功率，即 晶體管的最高結溫是指晶體管能正常地、長期可靠工作的最高 PN結溫度。 晶體管的功率特性 集電結最大耗散功率相關因素 在晶體管的散熱情況和環(huán)境溫度一定時，消耗的功率越大，管芯的結溫就越高。 （ 3） 噪聲 在半導體中還存在著一種影響很大的噪聲，叫做噪聲，這種噪聲同頻率有關，頻率越低，噪聲越大。 晶體管的噪聲 噪聲來源 （ 1）熱噪聲 雜亂無章的熱運動疊加在載流子的有規(guī)則的運動之上，就會引起電流的起伏，成為噪聲。 晶體管的噪聲 噪聲系數(shù) 采用信號噪聲比（即信號功率與噪聲功率之比，簡稱信噪比）來衡量噪聲的大小。 基區(qū)擴散的薄層電阻大些，即基區(qū)雜質(zhì)濃度 稍低些，也有利于提高特征頻率。你能否用集電結在表面處有很大的漏電流來解釋此種現(xiàn)象 ？ 晶體管的頻率特性 晶體管的頻率特性 晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數(shù)
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1