半導體器件與工藝ppt課件-wenkub
2023-01-27 09:19:41 本頁面
【正文】 k T q k T qeSe R j R j??? ? ? ????? ? ? ? ?????? ? ? ? ?? ? ? ?晶體管的功率特性 集電結(jié)最大耗散功率 集電結(jié)最大耗散功率 是晶體管參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時的最大集電結(jié)耗散功率。常用晶體管的輸入信號噪聲比同輸出信號噪聲比的比值來標志晶體管的噪聲特性，這個比值就叫噪聲系數(shù)。 盡量減小發(fā)射極面積。 你能否用基區(qū)表面形成反省層（ 即所謂 “ 溝道 ” ） 來解釋這種輸出特性曲線 ？ 晶體管的直流電流放大系數(shù) ， 發(fā)現(xiàn)輸出特性曲線 “ 過度傾斜 ” ， 如圖所示 。 如果基區(qū)寬度為 的晶體管中存在500 的均勻基區(qū)自建電場 ， 基區(qū)中靠近發(fā)射結(jié)一側(cè)的摻雜濃度是 ， 試問基區(qū)中靠近集電結(jié)一側(cè)的摻雜濃度為多少 ？ m?1??cmV31710 ?cm ① 提高發(fā)射區(qū)摻雜濃度，增大正向注入電流； ② 減小基區(qū)寬度，減少復合電流； ③ 提高基區(qū)雜質(zhì)分布梯度，以提高電場因子； ④ 提高基區(qū)載流子壽命和遷移率，以增大載流子的擴散長度。 BCII?0?BI CI晶體管的直流電流放大系數(shù) ? 晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （ 3） 與 的關系 0? 0?000 1 ?????晶體管的直流電流放大系數(shù) ? 晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （ 4）晶體管具有放大能力所滿足的條件（以 NPN管為例） ① 發(fā)射區(qū)高摻雜，能發(fā)射大量電子； ② 基區(qū)低摻雜且基區(qū)寬度窄，減少電子的復合損失； ③ 發(fā)射結(jié)正向偏置，發(fā)射電子； ④ 集射結(jié)反向偏置，收集電子。 ⑥ 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)為理想突變結(jié)，且面積相等。 ② 發(fā)射區(qū)與集電區(qū)電阻率足夠低，外加電壓全部降落在勢壘區(qū)，勢壘區(qū)外無電場。雙極型晶體管 哈爾濱工程大學 微電子學 半導體器件與工藝 雙極型晶體管 ? 晶體管的基本結(jié)構和分類 雙極型晶體管 ? 晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管 ? 晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管 ? 晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管 ? 晶體管的制造工藝和雜質(zhì)分布 雙極型晶體管 ? 均勻基區(qū)晶體管和緩變基區(qū)晶體管 均勻基區(qū)晶體管的基區(qū)雜質(zhì)是均勻分布的，載流子在基區(qū)內(nèi)的傳輸主要靠擴散機理進行，又稱 擴散型晶體管 。 ③ 發(fā)射結(jié)和集電結(jié)空間電荷區(qū)寬度遠小于少子擴散長度，且不存在載流子的產(chǎn)生與復合。 雙極型晶體管 ? 平衡晶體管的能帶和載流子的分布 雙極型晶體管 ? 非平衡晶體管的能帶和載流子的分布 雙極型晶體管 ? 晶體管載流子的傳輸 雙極型晶體管 ? 晶體管載流子的傳輸 ? ⑴ 發(fā)射結(jié)正向偏置 — 發(fā)射電子 ? ⑵ 載流子在基區(qū)的傳輸與復合 ? ⑶ 集射結(jié)反向偏置 — 收集電子 BCE III ??晶體管的直流電流放大系數(shù) ? 晶體管電流放大系數(shù)和電流放大能力 （ 1）共基極直流電流放大系數(shù) 表征從發(fā)射極輸入的電流中有多大比例傳輸?shù)郊姌O成為輸 出電流 ， 或者說由發(fā)射極發(fā)射的電子有多大比例傳輸?shù)搅思? 極 。 晶體管的直流電流放大系數(shù) 晶體管的直流電流放大系數(shù) ? 均勻基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 晶體管的直流電流放大系數(shù) ? 均勻基區(qū)晶體管電流放大系數(shù) 為什么 總是小于 ？ 主要原因在于發(fā)射極發(fā)射的電子在傳輸?shù)郊姌O的過 程中 ， 有兩個階段電子會損失：一是發(fā)射區(qū)的電于與來自 基區(qū)的少子空穴的復合損失 ， 該復合形成了空穴電流；一 是電子在穿越基區(qū)往集電結(jié)擴散的過程中 ， 與基區(qū)中空穴 的復合損失 ， 形成體內(nèi)復合電流 。 晶體管的直流
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