【正文】
第三位: X表示低頻小功率管、 D表示低頻大功率管、 G表示高頻小功率管、 A表示高頻小功率管、 K表示開(kāi)關(guān)管。 dt rtftrtft晶體管的開(kāi)關(guān)特性 開(kāi)關(guān)晶體管的正向壓降 晶體管的共發(fā)射極正向壓降是指將晶體管驅(qū)動(dòng)到飽和狀態(tài)時(shí),基極和發(fā)射極之間的電壓降。結(jié)面積最小尺寸受集電極最大電流及工藝水平的限制。 晶體管的開(kāi)關(guān)特性 在上升過(guò)程結(jié)束以后 , 由于晶體管處于過(guò)驅(qū)動(dòng)狀態(tài) ,集電結(jié)從零偏變?yōu)檎?, 集電區(qū)除了要向基區(qū)注入電子外 , 基區(qū)也要向集電區(qū)注入空穴 , 所以在集電區(qū)中也有一部分空穴電荷累量 — 超量貯存電荷 。 在輸入電壓剛剛變正時(shí) ,發(fā)射結(jié)的勢(shì)壘區(qū)還保持在原來(lái)的狀態(tài) , 即勢(shì)壘區(qū)有比較多的空間電荷 , 勢(shì)壘區(qū)還很寬 。 這表明 C極電位低于 B極 , 即集電結(jié)也處于正向偏置 , 這是晶體管飽和的重要特點(diǎn)之一 。 晶體管的安全工作區(qū) 晶體管的開(kāi)關(guān)特性 晶體管的開(kāi)關(guān)作用 開(kāi)關(guān)電路中的晶體管多采用共發(fā)射極接法。 當(dāng)集電極反向偏壓進(jìn)一步增大 , 增大到某一臨界值時(shí) , 晶體管上的壓降突然降低 , 而電流繼續(xù)增長(zhǎng) ,這個(gè)現(xiàn)象稱為二次擊穿 。 減少接觸熱阻的措施: ① 盡量使管座與散熱器的接觸面平整 、 光滑 、 清潔且不氧化 。 ()CM jM aP K T T??晶體管的功率特性 晶體管熱阻 晶體管工作時(shí) , 集電結(jié)產(chǎn)生的熱量要散發(fā)到周圍空間中去 , 會(huì)遇到一種阻力 , 把這種阻力叫“ 熱阻 ” 。 f1晶體管的功率特性 基區(qū)大注入效應(yīng) ( 1)大注入基區(qū)電大調(diào)制效應(yīng)和自建電場(chǎng) ( 2)大注入基區(qū)少子分布 晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性 基區(qū)縱向擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性 基區(qū)橫向擴(kuò)展效應(yīng) 晶體管的功率特性 基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)對(duì)電特性的影響 22012e b bb p e n bWWLL?????012T bff ?? ????晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) ( ) ( 0 ) ( 1 ) ( 0 )B B Be ffj x j e jxS?? ?( 1 ) ( 0 )( ) ( 0 )BBBe ffejj x x jS???( 1 ) ( 0 )( ) ( ) ( 0 )BB B Be f fejd I x j x ld x x j ld xS???? ? ?????晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 20( 1 ) ( 0 ) ( 1 ) ( 0 )( ) ( 0 ) ( 0 )2x BBB B Be f f e f fe j e j xI x x j ld x j lxSS????? ? ? ??????( ) ( )Bbbdxd U x I xWl??2 2 20( 1 ) ( 0 ) ( 2 ) ( 0 )1( ) ( ) ( 0 )6 2 6e f fS B S b B S be f f e f f S b B e f f e f fe j R e j RkTU S d U x S R j S Sq??? ? ? ? ??晶體管的功率特性 發(fā)射極電流集邊效應(yīng) 1 / 21 / 26/2 ( 0 )e ff S b Bk T qSe R j????? ??????? ??1 / 21 / 206/2 ( 1 ) ( 0 )e ff S b Ek T qSe R j?????? ???????? ??1 / 2 1 / 21 / 200//6 62e ff Sb Ep Sb Ep