常用半導體器件(2)-wenkub.com
2025-04-26 13:13 本頁面
【正文】 ② 溫度升高直流電流放大倍數(shù)和交流電流放大倍數(shù)增大。 ③ 硅管的 ICBO比鍺管小得多，故性能受溫度影響小得多。曲線密， β小，曲線疏， β大。 在飽和區(qū)，基極電流改變時，集電極電流不再隨之改變。不過，當 Uce1V時，這種影響趨于零。 直流電流放大倍數(shù) BNCN—IIβ ?交流電流放大倍數(shù) BCΔiΔiβ ?一般兩者幾乎相等，所以往往不加區(qū)分。基極開路，集電極 — 發(fā)射極之間的電流。從而有 IE = IEN + IEP ≈ IEN 。 ② 管子結(jié)構(gòu)一旦確定，則 ICN和 IBN的比例關(guān)系就被確定。 符號 問題：用兩個二極管背靠背連接能不能構(gòu)成晶體三極管，為什么？ 晶體管的電流放大作用（ NPN） 雙極型晶體管 VCC＞ VBB—— 保證發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 管子結(jié)構(gòu)一定，則集電極電流與基極電流的比例關(guān)系就被確定，而且集電極電流比基極電流大得多，從而實現(xiàn)電流放大作用。 ③ 集電區(qū)面積很大，能夠包圍基區(qū)。 ② 三個區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)。 晶體三極管必須滿足一定的條件才會具有放大作用。即在 滿足一定的條件 下，某個電極的電流是另一個電極電流的一個相對固定的倍數(shù)。其內(nèi)部有兩個 PN結(jié)。因其反向飽和電流與外界光照有關(guān)（與之成正變關(guān)系）。發(fā)光二極管的導通壓降大約為 ~。求流過穩(wěn)壓管的電流和穩(wěn)壓管兩端的電壓（△ V不大于 177。 半導體二極管 穩(wěn)壓二極管 等效電路 穩(wěn)壓二極管在正偏時與普通二極管相同。③ 應用二極管的恒壓模型。③ 應用二極管的折線模型。 —— 折線模型用于當二極管導通時的交流小信號分析。 ? 二極管的伏安特性的溫度特性與PN結(jié)的溫度特性相同。 半導體二極管 面接觸型二極管 平面型二極管 PN結(jié)的面積可控，故可以做到結(jié)電容不是很大，同時又可以允許通過大電流。 半導體二極管 面接觸型二極管 面接觸型二極管 PN結(jié)的面積大，故結(jié)電容大，允許通過的電流也大。 半導體二極管 半導體二極管內(nèi)部就是一個 PN結(jié)。 ? PN結(jié)的結(jié)電容越小，則其高頻性能越好。即擴散電容與正偏電壓成正變關(guān)系。 PN結(jié)的擊穿特性 PN結(jié)的結(jié)電容 PN結(jié)兩端不僅有電荷的累積，而且當 PN結(jié)兩端的電壓發(fā)生改變時，不僅 PN結(jié)的寬度會改變，而且空間電荷區(qū)的電荷量也會發(fā)生改變，這等效為一種電容效應。齊納擊穿和雪崩擊穿的分界點大約在 。 ? 利用 PN結(jié)的擊穿特性可以制成穩(wěn)壓二極管。相應的 PN結(jié)兩端的反向電壓稱為擊穿電壓。 ? PN結(jié)的反向飽和電流越小越好，這是因為反向飽和電流破壞了 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?。原因：少子漂移運動加強，削弱內(nèi)電場。鍺管的死區(qū)電壓大約為 ；硅管的死區(qū)電壓大約為 。 電流方程： )( 1eIsi TUu??式中： i —— PN結(jié)電流（以從 P區(qū)流向 N區(qū)電流為正）； u —— PN結(jié)電壓（以 P區(qū)相對于N區(qū)為正） 。 PN結(jié) ? 當正偏電壓略微增大，則正向電流會急劇增大。 ? 當 PN結(jié)的 P區(qū)接外部電源的正極， N區(qū)接外部電源的負極時，則外電場與PN結(jié)的內(nèi)電場方向相反，從而削弱內(nèi)電場對載流子擴散的阻力，使得擴散運動得以繼續(xù)進行下去。 ? 擴散運動的加強使得 PN結(jié)變寬，漂移運動的加強使得 PN結(jié)變窄。 ? 由于 PN結(jié)兩邊的載流子濃度差，所以 P區(qū)和 N區(qū)的多子向?qū)Ψ綌U散，一方面多子擴散到對方后與對方的多子復合，另一方面在 PN結(jié)附近的雜質(zhì)原子因為多子擴散到對方而成為不能移動的帶電原子，即離子。 ? 故雜質(zhì)半導體與本征半導體不同，雜質(zhì)半導體導電性能比本征半導體高得多，而且導電性能與溫度無關(guān)；而本征半導體導電性能弱，而且與溫度密切相關(guān)。 ? N型半導體中，自由電子的濃度遠遠大于空穴濃度，所以其中自由電子為多數(shù)載流子，簡稱“多子”，而空穴為少數(shù)載流子，簡稱“少子”。 ? 所摻入的三價元素的價電子中只有三個能與本征半導體的價電子組成共價鍵，從而形成一個空穴。這種半導體提供帶負電荷的載流子，故稱為 N型半導體。即在本征半導體材料中摻進三價元素或者五價元素。故硅原子的價電子離原子核近，鍺原子的價電子離原子核遠，鍺原子的價電子更容易掙脫共價鍵的束縛形成電子空穴對。 ? 本征半導體中電子和空穴成對產(chǎn)生，成對復合，即電子濃度和空穴濃度相等。在一定溫度和光照條件下，產(chǎn)生和復合形成動態(tài)平衡。 本征半導體 ? 共
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