半導(dǎo)體器件概論ppt課件-wenkub.com
2025-05-03 12:44 本頁(yè)面
【正文】 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 78 ： 從二極管的主要用途出發(fā)了解其單向?qū)щ姷臋C(jī)理，在電子電路中它主要用作開關(guān)，由此出發(fā)，弄清為何它能單向?qū)щ姡繛槭蛊溆辛己玫拈_關(guān)作用，應(yīng)具備何種工作條件？結(jié)合它的外特性去理解。 72 （ 6）集電極最大允許功耗 PCM 集電極電流 IC流過(guò)三極管，所發(fā)出的焦耳熱為： PC=ICUCE 必定導(dǎo)致結(jié)溫上升，所以 PC有限制。 所以集電極電流應(yīng)為： IC= ? IB+ICEO 而 ICEO受溫度影響很大，當(dāng)溫度上升時(shí)， ICEO增加很快，所以 IC也相應(yīng)增加。 65 主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 62 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 BCC B OBC B OCBECEIIIIIIII ??????58 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 圖中所示各電流方向既是正方向，又是放大工作狀態(tài)下的實(shí)際方向，不得改變各電流標(biāo)示方向！ 舊符號(hào)帶圓圈 59 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實(shí)驗(yàn)線路 輸入端IB 、 UBE 輸出端 IC、 UCE 名詞解釋：四端（二端口 )網(wǎng)絡(luò) 共射極接法 60 注意： 各電流與電壓的符號(hào)與方向及其含義； 統(tǒng)一按規(guī)范的電流與電壓的符號(hào)來(lái)標(biāo)注 。 IBE 1 進(jìn)入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復(fù)合，形成電流 IBE ，多數(shù)“ 擴(kuò)散” 到集電結(jié)。 注意小箭頭方向！ 50 167。（ 結(jié)合伏安特性講二者作用 ） （ 5）最大允許功耗 Z m a xZZM IUP ?46 Uo → IZ → IR → Uo＝（ Ui－ IR） ？ 穩(wěn)壓（二極）管穩(wěn)壓電路 在電路中穩(wěn)壓管與適當(dāng)?shù)碾? 阻配 合才能起到穩(wěn)壓作用。 特殊二極管 穩(wěn)壓 （ 二極）管 顧名思義“穩(wěn)定電壓”？ U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。 40 二極管的應(yīng)用 主要是利用它的單向?qū)щ娦?，包括整流、限幅、保護(hù)等。 38 （ 4） 微變電阻（ 動(dòng)態(tài)電阻 ） rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rD是二極管特性曲線工作點(diǎn) Q附近電壓的變化與電流的變化之比： DDD ivr???顯然， rD是 Q點(diǎn)的動(dòng)態(tài)電阻。 37 （ 3） 反向 峰值 電流 IRM 指二極管加反向峰值工作電壓時(shí)的反向電流。 36 (3)、主要參數(shù) （ 1） 最大整流電流 IOM 二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。 引線 外殼 觸絲線 基片 點(diǎn)接觸型 一般為鍺管，適于高頻、小功率。 31 PN結(jié)正向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場(chǎng) 外電場(chǎng) 變薄 P N + _ 內(nèi)電場(chǎng)被削弱， 多子的擴(kuò)散加強(qiáng) 能夠形成較大的 擴(kuò)散電流。 空間電荷區(qū)中內(nèi)電場(chǎng)阻礙 P中的空穴、N中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ）。 由 內(nèi)電場(chǎng) 而產(chǎn)生，使少子 越過(guò) PN結(jié)流向?qū)Ψ?。近似認(rèn)為多子濃度與雜質(zhì)濃度相等。由于硼原子接受電子，所以稱為 受主原子 。 注意 ：由于摻雜濃度遠(yuǎn)大于本征半導(dǎo)體中載流子濃度，所以，由施主原子提供的準(zhǔn)自由電子濃度遠(yuǎn)大于原本征半導(dǎo)體空穴濃度；而自由電子增多又增加了復(fù)合的機(jī)會(huì)，故摻雜后 N型半導(dǎo)體中的空穴數(shù)比原本征半導(dǎo)體中的空穴數(shù)小得多。 17 N型半導(dǎo)體 在硅或鍺晶體中摻入少量的 五價(jià)元素磷（或銻），晶體點(diǎn)陣中的某些半導(dǎo)體原子被雜質(zhì)取代， 磷原子的最外層有五個(gè)價(jià)電子 ，其中四個(gè)與相臨的半導(dǎo)體原子形成共價(jià)鍵，必定 多出一個(gè)價(jià)電子 ，這個(gè)價(jià)電子幾乎不受束縛， 很容易被激發(fā)而成為自由電子 ，這樣磷原子就成了不能移動(dòng)的帶正電的離子 。 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。 填補(bǔ) 的結(jié)果 相當(dāng)于 空穴的遷移 超女快男的演唱會(huì)，玉米花生前移 ，而空穴的遷移 相當(dāng)于 正電荷的移動(dòng)（ 為什么？ ），因此可以認(rèn)為空穴是帶正電荷的載流子。 共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體，稱為 本征半導(dǎo)體 。比如 ： 當(dāng)受外界熱和光的作用時(shí)，它的導(dǎo)電能力明顯變化。 半導(dǎo)體的基本知識(shí)
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1