半導(dǎo)體器件bwuppt課件-wenkub.com
2025-01-16 01:25 本頁面
【正文】 其靈敏度較光敏二極管提高了 β 倍 。 iD=f(uGS)| uDS=常數(shù) IDSS UGS(off) 2)(1 ??????????o f fGSGSD S SD UUII漏極飽和漏電流 IDSS 夾斷電壓 UGS(off) 上 頁 返 回 173 五 絕緣柵場效應(yīng)管類型 一、 N溝道增強型 P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 174 N 溝道耗盡型 P N N G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 G S D 上 頁 返 回 175 N P P G S D G S D P 溝道增強型 上 頁 返 回 176 P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 上 頁 返 回 177 主要參數(shù) 1. 跨導(dǎo) gm 常數(shù)????DSUGSDm UIg2. 通態(tài)電阻 3. 最大漏、源極擊穿電壓 UDS（ BR） 4. 漏極最大耗散功率 PDM 上 頁 返 回 178 小信號模型 ugs + + – – uds id uds ugs + – – id + gmugs 上 頁 返 回 179 顯示器件 有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場效應(yīng)管 MOS 場效應(yīng)管有兩種 : 167。 mA0 61070 705 ..R UUIBBESBB ?????IBIBS= 上 頁 返 回 145 三、主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法。 上 頁 返 回 141 輸出特性三個區(qū)域的特點 : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 上 頁 返 回 138 二、 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 mA25m a x ???LZWz RUIi102521 ???? RUiRu. zWi—— 方程 1 上 頁 返 回 129 令輸入電壓降到下限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmin 。 （ 3）動態(tài)電阻 ZZIUZr ??? 穩(wěn)壓二極管的參數(shù) 上 頁 返 回 128 要求 當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動時，負(fù)載電壓基本不變。 + UZ 動態(tài)電阻： ZZIUZr ???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 反向擊穿電壓 UBR 上 頁 返 回 124 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uo ui uo t t 例 二極管半波整流 二極管的應(yīng)用 上 頁 返 回 125 例 二極管門電路如圖所示，設(shè) DA、 DB為理想二極管，已知 A、 B端的電位分別為 0V、 3V和 3V、 0V，求輸出端F的電位 VF。 上 頁 返 回 122 基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 上 頁 返 回 120 二、 PN 結(jié)反向偏置 － － － － + + + + 內(nèi)電場 外電場 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。 PN 結(jié) 加上反向電壓 、 反向偏置 的意思都是： P區(qū)加負(fù)、 N 區(qū)加正電壓。 內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多
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