【正文】 薄 P N + _ 內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。 本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動產(chǎn)生的電流。 二極管 167。 熱敏性： 當(dāng)環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力顯著增強 (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻 )。 內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 反向擊穿電壓 UBR 上 頁 返 回 124 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uo ui uo t t 例 二極管半波整流 二極管的應(yīng)用 上 頁 返 回 125 例 二極管門電路如圖所示，設(shè) DA、 DB為理想二極管，已知 A、 B端的電位分別為 0V、 3V和 3V、 0V，求輸出端F的電位 VF。 上 頁 返 回 138 二、 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 iD=f(uGS)| uDS=常數(shù) IDSS UGS(off) 2)(1 ??????????o f fGSGSD S SD UUII漏極飽和漏電流 IDSS 夾斷電壓 UGS(off) 上 頁 返 回 173 五 絕緣柵場效應(yīng)管類型 一、 N溝道增強型 P型基底 兩個 N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 174 N 溝道耗盡型 P N N G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 G S D 上 頁 返 回 175 N P P G S D G S D P 溝道增強型 上 頁 返 回 176 P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 上 頁 返 回 177 主要參數(shù) 1. 跨導(dǎo) gm 常數(shù)????DSUGSDm UIg2. 通態(tài)電阻 3. 最大漏、源極擊穿電壓 UDS（ BR） 4. 漏極最大耗散功率 PDM 上 頁 返 回 178 小信號模型 ugs + + – – uds id uds ugs + – – id + gmugs 上 頁 返 回 179 顯示器件 有正向電流流過時，發(fā)出一定波長范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 結(jié)型場效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場效應(yīng)管 MOS 場效應(yīng)管有兩種 : 167。 mA25m a x ???LZWz RUIi102521 ???? RUiRu. zWi—— 方程 1 上 頁 返 回 129 令輸入電壓降到下限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmin 。 上 頁 返 回 122 基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。自由電子稱為 多數(shù)載流子 （ 多子 ），空穴稱為 少數(shù)載流子 （ 少子 ）。 167。 光電器件 上 頁 返 回 14 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體 導(dǎo)體： 自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為 導(dǎo)體 ，金屬一般都是導(dǎo)體。 P 型半導(dǎo)體： 空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體，也稱為（空穴半導(dǎo)體）。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。 例 uo iZ DZ R iL i ui RL 5 m A 2 0 m A , V,10m i nm a x???zzzWIIU穩(wěn)壓管的技術(shù)參數(shù) : 負載電阻 。 共射 直流電流放大倍數(shù) ： BCII?___?工作于動態(tài)的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。