《半導體器件bwu》ppt課件(文件)
【正文】 163 飽和等效 上 頁 返 回 164 N溝道增強型 上 頁 返 回 165 N溝道耗盡型 上 頁 返 回 166 P溝道增強型 上 頁 返 回 167 P溝道耗盡型 上 頁 返 回 168 三、增強型 N溝道 MOS管的特性曲線 1. 轉移特性曲線 0 ID UGS UGS(th) UGS(th) 開啟電壓 2)(1 ??????????thGSGSDOD UUIIIDO為 UGS=2 UGS(th) 時的 ID值。 167。 二、光敏晶體管 B E C E C IC UCE 光照增強 第一章 結束 。 I U 照度增加 一、光敏二極管 上 頁 返 回 181 光敏二極管的主要參數有： 1. 暗電流 無光照時的反向飽和電流 3. 靈敏度 給定波長單位光功率產生的光電流 2. 光電流 額定照度下的反向電流 4. 峰值波長 使光敏二極管具有最高響應靈敏度的光波長 5. 響應時間 光電流達到穩(wěn)定值的 63%所需要的時間 上 頁 返 回 182 將光敏二極管和晶體管組合即成光敏晶體管。 iD=f(uDS)| uGS=常數 ID mA V UDS UGS G S D 實驗線路 (共源極接法 ) 上 頁 返 回 171 UGS=0V U DS （ V） ID（ mA） 0 1 3 2 4 UGS=+1V UGS=+2V UGS=1V UGS=2V 夾斷電壓 UP=2V 固定一個 U DS，畫出 ID和 UGS的關系曲線，稱為轉移特性曲線 上 頁 返 回 172 0 ID UGS 2. 轉移特性曲線 轉移特性曲線是指以 uDS為參變量時 ,iD和 uGS的關系。 _ _ _???BCII? ???????BCII?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = ?上 頁 返 回 147 場效應管與雙極型晶體管不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩(wěn)定性好。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V時： 9m A01070 702 ..R UUIBBESBB ?????上 頁 返 回 144 USB =5V時 : 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當 USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ ICUCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時 IC 和 IB 已不是 ? 倍的關系。 上 頁 返 回 140 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 : IB=0, IC=ICEO, UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。 UCE=0V UCE = 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 求： 電阻 R和輸入電壓 ui 的正常值。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?（ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數 ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數。 上 頁 返 回 126 穩(wěn)壓二極管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。 導通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。由于電源的作用，漂移運動不斷地進行，形成反向電流，其值非常小，可忽略。由于電源的作用，擴散運動不斷地進行，形成正向電流，正向電阻很小。 上 頁 返 回 116 － － － － － － － － － － － －
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