【總結(jié)】第三章晶閘管§普通晶閘管Thyristor硅可控整流器,可控硅,SCR。一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件符號(hào)正向阻斷:A—K接正電壓,J2反偏,漏電流很小。反向阻斷:A—K接負(fù)電壓,J1,J3反偏,漏電流很小。等效電路:由PN
2025-04-30 01:43
【總結(jié)】第六章可關(guān)斷晶閘管(GTO)特點(diǎn):是SCR的一種派生器件;具有SCR的全部?jī)?yōu)點(diǎn),耐壓高、電流大、耐浪涌能力強(qiáng),造價(jià)便宜;為全控型器件,工作頻率高,控制功率小,線路簡(jiǎn)單,使用方便。§GTO結(jié)構(gòu)及工作原理GateTurn-offThyristor——GTO一、結(jié)構(gòu):四層PNPN結(jié)構(gòu),三端器件;特點(diǎn):①
2025-05-01 06:14
【總結(jié)】模塊一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體的基本知識(shí)半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體三極管BJT模型場(chǎng)效應(yīng)管半導(dǎo)體的基本知識(shí)在物理學(xué)中。根據(jù)材料的導(dǎo)電能力,可以將他們劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge,它們都是4價(jià)元素。sisi硅原子Ge鍺原子Ge+4+4
2025-07-19 20:34
【總結(jié)】課程主要內(nèi)容?固體晶格結(jié)構(gòu):第一章?量子力學(xué):第二章~第三章?半導(dǎo)體物理:第四章~第六章?半導(dǎo)體器件:第七章~第十三章1緒論?什么是半導(dǎo)體按固體的導(dǎo)電能力區(qū)分,可以區(qū)分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體表導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體的電阻率范圍材料導(dǎo)體半導(dǎo)體絕緣體電阻率ρ(Ωcm)<10
2025-01-13 12:25
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)一、半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)二、半導(dǎo)體的分類三、PN結(jié)本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)的形成PN結(jié)的單向?qū)щ娦缘谝徽掳雽?dǎo)體器件§半導(dǎo)體二極管一、半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)二、半導(dǎo)體二極管的伏安特性正向特性反向特性三、二
2025-01-19 11:44
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件原理南京大學(xué)《半導(dǎo)體器件原理》教材:半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)美國(guó)B.L.AndersonandR.L.Anderson(清華大學(xué)出版社,中文版或英文影印版)主要參考書:(1)半導(dǎo)體物理與器件美國(guó)D.A.Neamen(電子工業(yè)出版社,中文版)(2)現(xiàn)代集成電
2025-01-18 00:49
【總結(jié)】第4章半導(dǎo)體分立器件概述半導(dǎo)體分立器件種類繁多,通??煞譃榘雽?dǎo)體二極管、晶體三極管、功率整流器件和場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。半導(dǎo)體二極管又可分為普通二極管和特殊二極管兩種。普通二極管包括整流二極管、穩(wěn)壓二極管、恒流二極管、開關(guān)二極管等。特殊二極管包括肖特基勢(shì)壘管(SBD)、隧道二極管(TD)、位置顯示管(PIN)、變?nèi)荻O管、
2024-10-05 00:38
【總結(jié)】?主編李中發(fā)?制作李中發(fā)?2021年1月電子技術(shù)第1章半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)要點(diǎn)?了解半導(dǎo)體的特性和導(dǎo)電方式,理解PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦?了解半導(dǎo)體二極管、三極管的結(jié)構(gòu)?理解二極管的工作原理、伏安特性和主要參數(shù)?理解雙極型三極管的放大作用、輸入和輸出特性曲線及主要參數(shù)
2024-10-19 00:18
【總結(jié)】第四章電力晶體管§GTR結(jié)構(gòu)雙極型大功率、高反壓晶體管——GTR(巨型晶體管)GiantTransistor三層半導(dǎo)體材料,兩個(gè)PN結(jié)(NPN型、PNP型)。一、工藝特點(diǎn)三重?cái)U(kuò)散;叉指型基極和發(fā)射極;特點(diǎn):發(fā)射區(qū)高濃度摻雜基區(qū)很薄(幾u(yù)m—幾十um)N-摻雜
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運(yùn)四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號(hào)導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識(shí)9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動(dòng)態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)12.MOS
2025-04-29 04:29
【總結(jié)】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件原理一.半導(dǎo)體基礎(chǔ)二.pn結(jié)三.BJT四.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)五.MOSFET六.MS接觸和肖特基二極管七.JFET和MESFET簡(jiǎn)介半導(dǎo)體器件硅半導(dǎo)體表面?理想硅表面?鍵的排列從體內(nèi)到表面不變,硅體特性不受影響半導(dǎo)體器
2025-08-16 01:27
【總結(jié)】第一章雙極型半導(dǎo)體器件例題及選擇題例1-1圖1-1所示的各電路中,二極管為理想二極管。試分析其工作情況,求出流過二極管的電流。解這兩個(gè)含二極管的電路中都只有一個(gè)電源,容易判斷出二極管是正向偏置還是反向偏置。對(duì)理想二極管,當(dāng)判斷出二極管正向偏置時(shí)就將其視為短路,當(dāng)判斷出二極
2025-05-12 20:48
【總結(jié)】1電子技術(shù)半導(dǎo)體器件及整流電路2電子技術(shù)包含模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)和數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)兩部分內(nèi)容,模擬電子技術(shù)主要研究模擬電子信號(hào)的相關(guān)課目,數(shù)字電子技術(shù)主要研究數(shù)字電子信號(hào)的相關(guān)課目。是理工科(非電專業(yè))學(xué)生必修的一門基礎(chǔ)理論課。前面四章主要介紹常用半導(dǎo)體器件、放大電路、集成運(yùn)算放大器和穩(wěn)壓電源電路,是研
2025-05-05 22:19
【總結(jié)】半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)1.本征半導(dǎo)體2.雜質(zhì)半導(dǎo)體3.PN結(jié)本征半導(dǎo)體—1、本征半導(dǎo)體半導(dǎo)體—導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。純凈的不含任何雜質(zhì)的半導(dǎo)體。如硅、鍺單晶體。自由運(yùn)動(dòng)的帶電粒子。載流子—共價(jià)鍵—相鄰原子共有價(jià)電子所形成的束縛。半導(dǎo)體中有自由
2025-05-13 03:50
【總結(jié)】第一章半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)PN結(jié)半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)物質(zhì)按導(dǎo)電性能可分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。物質(zhì)的導(dǎo)電特性取決于原子結(jié)構(gòu)。導(dǎo)體一般為低價(jià)元素,如銅、鐵、鋁等金屬,其最外層電子受原子核的束縛力很小,因而極易掙脫原子核的
2025-07-20 13:39