【正文】 上 頁 返 回 169 2. 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS(th) 上 頁 返 回 170 1. 輸出特性曲線 四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 輸出特性曲線是指以 uGS為參變量時 ,iD和 uDS的關(guān)系。 雙極結(jié)型晶體管 上 頁 返 回 131 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 ,雜質(zhì)濃度低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 上 頁 返 回 132 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 上 頁 返 回 133 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 上 頁 返 回 134 ? β = ICN/IBN ? IE=IBN+ICN ? IC=ICN+ICB0 ? IB=IBNICB0 ? IC= β IBN+ICB0 ? = β (IB+ICB0)+ICB0= β IB+(1+ β )ICB0 ? = β IB+ICE0 ? ICBO集、基極間反向飽和電流 ? ICE0穿透電流判斷晶體管質(zhì)量的好壞（ IB=0） ? IC= β IB 上 頁 返 回 135 電流分配定律 ? 前提：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 ? IC= β IB ? IE=IC+IB=(1+ β ） IB 上 頁 返 回 136 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實驗線路 上 頁 返 回 137 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 二極管 上 頁 返 回 123 伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 一、 N 型半導(dǎo)體 上 頁 返 回 113 PN 結(jié)的形成 在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。例如： 摻雜性 ： 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，導(dǎo)電 能力明顯改變 (可做成各種不同用途的半導(dǎo)體器件，如二 極管、三極管和晶閘管等）。 雙極結(jié)型晶體管 167。 上 頁 返 回 19 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。由于電源的作用，擴散運動不斷地進行，形成正向電流，正向電阻很小。 （ 5）最大允許功耗 m a xZZZM IUP ?（ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ （ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE USB =2V時： 9m A01070 702 ..R UUIBBESBB ?????上 頁 返 回 144 USB =5V時 : 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當 USB = 2V， 2V， 5V時， 晶體管的靜態(tài)工作點 Q位 于哪個區(qū)？ ICUCE IB USC RB USB C B E RC UBE Q 位于飽和區(qū)，此時 IC 和 IB 已不是 ? 倍的關(guān)系。 二、光敏晶體管 B E C E C IC UCE 光照增強 第一章 結(jié)束 。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB 0IBIBS (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。 167。 上 頁 返 回 118 － － － － + + + + R E 一、 PN 結(jié)正向偏置 內(nèi)電場 外電場 變