半導(dǎo)體器件bwuppt課件-閱讀頁
2025-02-03 01:25本頁面
【正文】 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結(jié)正偏， ?IBIC，UCE? 稱為飽和區(qū)。 上 頁 返 回 141 輸出特性三個(gè)區(qū)域的特點(diǎn) : (1)放大區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 即： UCE?UBE ， IBIBS=VCC/ ? RC，UCE? (3) 截止區(qū)： UBE 死區(qū)電壓， IB=0 ， IC=ICEO ?0 上 頁 返 回 142 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ 當(dāng) USB =2V時(shí)： IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE IB=0 ， IC=0 IB 最大飽和電流： IB=VSC/ ?RC =12/50*6= Q位于截止區(qū) 上 頁 返 回 143 例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 當(dāng) USB = 2V， 2V， 5V時(shí)， 晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn) Q位 于哪個(gè)區(qū)？ IB IBS (=) ， Q位于放大區(qū) 。 mA0 61070 705 ..R UUIBBESBB ?????IBIBS= 上 頁 返 回 145 三、主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點(diǎn)，稱為共射接法，相應(yīng)地還有共基、共集接法?；鶚O電流的變化量為 ?IB， 相應(yīng)的集電極電流變化為 ?IC， 則 交流電流放大倍數(shù) 為： BII C????1. 電流放大倍數(shù) ? ___?上 頁 返 回 146 例： UCE=6V時(shí) ： IB = 40 ?A, IC = mA； IB = 60 ?A, IC = mA。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 JFET 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管有兩種 : 167。 上 頁 返 回 169 2. 輸出特性曲線 ID U DS 0 UGS(th) 上 頁 返 回 170 1. 輸出特性曲線 四、耗盡型 N溝道 MOS管的特性曲線 輸出特性曲線是指以 uGS為參變量時(shí) ,iD和 uDS的關(guān)系。 iD=f(uGS)| uDS=常數(shù) IDSS UGS(off) 2)(1 ??????????o f fGSGSD S SD UUII漏極飽和漏電流 IDSS 夾斷電壓 UGS(off) 上 頁 返 回 173 五 絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管類型 一、 N溝道增強(qiáng)型 P型基底 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 導(dǎo)電溝道 金屬鋁 G S D N溝道增強(qiáng)型 P N N G S D Ssource Ggate Ddrain 上 頁 返 回 174 N 溝道耗盡型 P N N G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 G S D 上 頁 返 回 175 N P P G S D G S D P 溝道增強(qiáng)型 上 頁 返 回 176 P 溝道耗盡型 N P P G S D G S D 預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 上 頁 返 回 177 主要參數(shù) 1. 跨導(dǎo) gm 常數(shù)????DSUGSDm UIg2. 通態(tài)電阻 3. 最大漏、源極擊穿電壓 UDS（ BR） 4. 漏極最大耗散功率 PDM 上 頁 返 回 178 小信號(hào)模型 ugs + + – – uds id uds ugs + – – id + gmugs 上 頁 返 回 179 顯示器件 有正向電流流過時(shí)，發(fā)出一定波長(zhǎng)范圍的光，目前的發(fā)光管可以發(fā)出從紅外到可見波段的光，它的電特性與一般二極管類似。 光電器件 死區(qū)電壓 : ~ 工作電 壓 : ~ 工作電流： 5~15mA 反向擊穿電壓： 10V（一般） 上 頁 返 回 180 光敏器件 反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而上升。其靈敏度較光敏二極管提高了 β
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