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半導(dǎo)體器件原理與工藝-閱讀頁

2025-03-08 15:11本頁面
  

【正文】 /A 半導(dǎo)體器件原理與工藝 庫(kù)侖散射與離子能量損失機(jī)理 半導(dǎo)體器件原理與工藝 垂直射程 ? 高斯深度分布 半導(dǎo)體器件原理與工藝 垂直投影射程 ??????????????? ? ??titippE EenRpMMMMRRSSdEdxdEdEdxRp32/0 00 0 0投影射程: 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Monte Carlo Simulation of 50keV Boron implanted into Si 半導(dǎo)體器件原理與工藝 離子注入損傷與退火 退火的作用: 退火的方法: :用高溫爐把硅片加熱至8001000℃ 并保持 30分鐘 特點(diǎn):方法簡(jiǎn)單,設(shè)備兼容,但高溫長(zhǎng)時(shí)間易導(dǎo)致雜質(zhì)的再擴(kuò)散。 ? 熱處理可以消除損傷和激活雜質(zhì) ? 損傷閾值 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Implantation Damage ? 晶體中的缺陷 ?一次缺陷 primary defects ?二次缺陷 Secondary defects ? 點(diǎn)缺陷重新組合并擴(kuò)展形成的,如位錯(cuò)環(huán) 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Implantation Damage ? 等時(shí)退火 ?激活載流子 ?減小二次缺陷 ? SPE 半導(dǎo)體器件原理與工藝 Rapid Thermal Processing ? 減小了雜質(zhì)再分布 ? 工藝簡(jiǎn)單 ? 硅化物的形成 ? 熱塑應(yīng)力 半導(dǎo)體器件原理與工藝 離子注入的應(yīng)用舉例 ? SIMOX (Separation by IMplantation of OXygen) ? 4000 19
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