半導體器件概論ppt課件-閱讀頁
2025-05-21 12:44本頁面
【正文】 穩(wěn)壓 （ 二極）管 顧名思義“穩(wěn)定電壓”？ U I UZ IZ IZmax ?UZ ?IZ 穩(wěn)壓誤差 曲線越陡，電壓越穩(wěn)定?？扇? 正負兩種值 。（ 結合伏安特性講二者作用 ） （ 5）最大允許功耗 Z m a xZZM IUP ?46 Uo → IZ → IR → Uo＝（ Ui－ IR） ？ 穩(wěn)壓（二極）管穩(wěn)壓電路 在電路中穩(wěn)壓管與適當?shù)碾? 阻配 合才能起到穩(wěn)壓作用。 ） 課后看書： 第 1章除 48 * 光電二極管 反向 電流隨光照強度的增加而上升。 注意小箭頭方向！ 50 167。 53 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結 集電結 54 電流放大原理 B E C N N P EB RB Ec 發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極 電流 IE。 IBE 1 進入 P區(qū)的電子少部分與基區(qū)的空穴復合，形成電流 IBE ，多數(shù)“ 擴散” 到集電結。 ICBO 從基區(qū)擴散來的電子作為集電結基區(qū)一側的少子，漂移進入集電結而被收集，形成 ICE。 BCC B OBC B OCBECEIIIIIIII ??????58 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 圖中所示各電流方向既是正方向，又是放大工作狀態(tài)下的實際方向，不得改變各電流標示方向！ 舊符號帶圓圈 59 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實驗線路 輸入端IB 、 UBE 輸出端 IC、 UCE 名詞解釋：四端（二端口 )網(wǎng)絡 共射極接法 60 注意： 各電流與電壓的符號與方向及其含義； 統(tǒng)一按規(guī)范的電流與電壓的符號來標注 。（ 雙下標不可對調 ） 為滿足放大的外部條件， 須 保證 ︱ UBE ︱ ︱ UCE ︱ 61 輸入特性 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 UCE?1V 死區(qū)電壓，硅管，鍺管 。 62 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 63 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域中 UCE?UBE,集電結正偏，?IBIC， 稱為飽和區(qū)。 65 主要參數(shù) 前面的電路中，三極管的發(fā)射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法?；鶚O電流的變化量為 ?IB，相應的集電極電流變化為 ?IC，則 交流 電流放大倍數(shù) 為： BCII????67 例： UCE=6V時 ： IB=40?A IC= IB=60?A IC= BC ???IIβ__ BC ???????II?在以后的計算中，一般作近似處理： ? = β68 （ 2）集 基極反向截止電流 ICBO ?A ICBO ICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。 所以集電極電流應為： IC= ? IB+ICEO 而 ICEO受溫度影響很大，當溫度上升時， ICEO增加很快，所以 IC也相應增加。 71 （ 5）集 射極反向擊穿電壓 當集 射極之間的電壓 UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。 72 （ 6）集電極最大允許功耗 PCM 集電極電流 IC流過三極管，所發(fā)出的焦耳熱為： PC=ICUCE 必定導致結溫上升，所以 PC有限制。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB (2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結正偏，集電結正偏。 IC UCE IB USC RB USB C B E RC UBE ＋ － ＋ － 78 ： 從二極管的主要用途出發(fā)了解其單向導電的機理，在電子電路中它主要用作開關，由此出發(fā)，弄清為何它能單向導電？為使其有良好的開關作用，應具備何種工作條件？結合它的外特性去理解。 79 晶體三極管內容完 （自學 ） 80 練習與思考： 、 、 作業(yè)：作業(yè)集題目 課后看書： 第
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