半導體器件基礎(chǔ)ppt課件-閱讀頁
2025-05-21 12:44本頁面
【正文】 ) 第 1章 半導體器件基礎(chǔ) C E OBC B OBC IIIII ???????? ??? )1(則 其中 ICEO稱為穿透電流 , C B OC E O II )1(??? ?一般三極管的 β約為幾十～幾百 。 第 1章 半導體器件基礎(chǔ) 表 1 3 三極管電流關(guān)系的一組典型數(shù)據(jù) IB/mA 0 IC/mA IE/mA 0 ECECB IIIII ??? ,第 1章 半導體器件基礎(chǔ) 常數(shù)????CEUBCII?常數(shù)????CBUECII????????????????????1/1/ECECCECBCIIIIIIIII相應(yīng)地 , 將集電極電流與發(fā)射極電流的變化量之比 , 定義為共基極交流電流放大系數(shù) , 即 故 第 1章 半導體器件基礎(chǔ) 顯然 β與 β, α與 α其意義是不同的 , 但是在多數(shù)情況 下 β≈β, α≈α。 此時 Ｉ Ｃ 也近似為零 。 其實 Ｉ Ｂ ＝０時 , Ｉ Ｃ 并不等于零 , 而是等于穿透電流 ICEO。 鍺三極管的穿透電流約幾十至幾百微安 。 所以 , 在截止區(qū) , 三極管的兩個結(jié)均處于反向偏置狀態(tài) 。 第 1章 半導體器件基礎(chǔ) (2) 放大區(qū) 此時發(fā)射結(jié)正向運用 , 集電結(jié)反向運用 。 在這個區(qū)域內(nèi) ,當基極電流發(fā)生微小的變化量ΔＩ Ｂ 時 , 相應(yīng)的集電極電流將產(chǎn)生較大的變化量 ΔＩ Ｃ , 此時二者的關(guān)系為 ΔＩ Ｃ ＝ βΔＩ Ｂ 該式體現(xiàn)了三極管的電流放大作用。
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