項(xiàng)目一半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)-閱讀頁
2025-05-28 03:50本頁面
【正文】 的集電結(jié)擊穿電壓 （ b） V(BR)EBO——集電極開路時(shí)發(fā)射結(jié)的擊穿電壓 （ c） V(BR)CEO——基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極間的 擊穿電壓 (3)反向擊穿電壓 （ 2） 集電極最大允許功率損耗 PCM PCM= ICVCB≈ICVCE （ 1）集電極最大允許電流 ICM 由 PCM、 ICM和 V(BR)CEO在輸出特性曲線上可以確定過損耗區(qū)、過電流區(qū)和擊穿區(qū)。 溫度每升高 10℃ ， |VBE|大約下降2～ 。 溫度對(duì)輸入特性的影響 T 正向特性曲線左移 ?半導(dǎo)體晶體管的型號(hào) 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體晶體管的命名如下 : 3 D G 110 B 第二位： A鍺 PNP管、 B鍺 NPN管、 C硅 PNP管、 D硅 NPN管 第三位： X低頻小功率管、 D低頻大功率管、 G高頻小功率管、 A高頻大功率管、 K開關(guān)管 用字母表示材料 用字母表示器件的種類 用數(shù)字表示同種器件型號(hào)的序號(hào) 用字母表示同一型號(hào)中的不同規(guī)格 三極管 特殊的晶體三極管 一 . 光敏三極管 等效電路及符號(hào) 在光敏三極管集電極 c和發(fā)射極 e之間加電壓，使集電結(jié)反偏，光照時(shí)將產(chǎn)生光電流 IB，同時(shí) IB 被“放大”形成集電極電流 IC，大小在幾百微安到幾毫安之間。光敏三極管制成達(dá)林頓形式時(shí)，可獲得很大的輸出電流而能直接驅(qū)動(dòng)某些繼電器。 小結(jié) 本講主要介紹了以下基本內(nèi)容： ? 雙極性晶體管的結(jié)構(gòu)和類型： NPN、 PNP ? 晶體管的電流放大作用和電流分配關(guān)系 ? 晶體管直流電流傳輸方程 ? 三種不同的連接方式：共基極、共發(fā)射極和共集電極 ? 晶體管具有放大作用的內(nèi)部條件 ? 晶體管具有放大作用的外部條件 ? 晶體管的共射組態(tài)曲線特性 ? 晶體管的主要參數(shù) 小結(jié) 2. 晶體管的特性曲線 ① 輸入特性曲線 ②輸出特性曲線 1. 晶體三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類 3. 晶體管的主要參數(shù) ?、 ICBO 、 ICEO 、 ICM PCM 、 U(BR)CBO 場(chǎng)效應(yīng)管 P溝道 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道 （耗盡型） JFET 結(jié)型 MOSFET 絕緣柵型 FET 場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道 場(chǎng)效應(yīng)管的分類 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu) N 溝道 JFET P 溝道 JFET 工作原理（以 N溝道為例） PN結(jié)反偏， |UGS|越大則耗盡區(qū)越寬，導(dǎo)電溝道越窄。 2 vGS=0 , vDS 0 V vDS | Vp | ,預(yù)夾斷 后ID不為 0時(shí)，電流 iD 由未被夾斷區(qū)域中的載流子形成，基本不隨 vDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID vGD= vGS vDS=vP 時(shí)發(fā)生預(yù)夾斷 vGS iD IDSS vDS iD vGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V 3. 4 轉(zhuǎn)移特性和輸出特性 1. 輸出特性 c o ns t .DSD GS)( ?? vvfi)0()1( GSP2PGSD S SD ???? vVVvIi2. 轉(zhuǎn)移特性 c o ns t .GSD DS)( ?? vvfi絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（ MOS) 一 . N溝道增強(qiáng)型 MOSFET 1. 結(jié)構(gòu)與符號(hào) P 型襯底 (摻雜濃度低 ) N+ N+ S D G B 耗 盡 層 S — 源極 Source G — 柵極 Gate D — 漏極 Drain S G D B 2 . 工作原理 (1) vGS=0 V時(shí) ， 漏 、 源之間相當(dāng)兩個(gè)背靠背的二極管，在 D、 S之間加上電壓不會(huì)在 D、 S間形成電流。與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的輸出特性相似，它也分為恒流區(qū)、可變電阻區(qū)、截止區(qū)和擊穿區(qū)。 （ 2） vGS＞ 0時(shí)， （ 3） vGS＜ 0時(shí)， 二、 N溝道耗盡型 MOSFET 圖 N溝道耗盡型 MOSFET的結(jié)構(gòu) iD iD iDuG SUG S o ff0( a )ID0圖 1–40 N溝道耗盡型 MOS管的轉(zhuǎn)移特性 1234iD/ mA010 20uD S/ V0 V5 15( b )UGS＝ ＋ 3 V＋ 6V－ 3 V圖 1–48N溝道耗盡型 MOS管輸出特性 DGS( c )B圖 N溝道耗盡型 MOS管表示符號(hào) 雙極型三極管 場(chǎng)效應(yīng)三極管 結(jié)構(gòu) NPN型 PNP型 結(jié)型耗盡型 N溝道 P溝道 絕緣柵增強(qiáng)型 N溝道 P溝道 絕緣柵耗盡型 N溝道 P溝道 C與 E一般不可倒置使用 D與 S有的型號(hào)可倒置使用 載流子 多子擴(kuò)散少子漂移 多子漂移 輸入量 電流輸入 電壓輸入 控制 電流控制電流源 CCCS(β) 電壓控制電流源 VCCS(gm) 雙極型和場(chǎng)效應(yīng)型三極管的比較 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) ① 開啟電壓 VGS(th) (或 VT) 開啟電壓是 MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值 , 場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通 。 ③ 飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管 , 當(dāng) VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。 ⑤ 低頻跨導(dǎo) gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對(duì)漏極電流的控制作用， 這一點(diǎn)與電子管的控制作用相似。 ⑥ 最大漏極功耗 PDM 最大漏極功耗可由 PDM= VDS ID決定，與雙極型三極管的 PCM
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