半導(dǎo)體器件課時(shí)ppt課件-閱讀頁(yè)
2025-01-29 10:04本頁(yè)面
【正文】 極接法 ，發(fā)射極作為公共電極，用 CE表示； 如何判斷組態(tài)？ 外部條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏 vCE = 0V + b c e 共射極放大電路 VBB VCC vBE iC iB + vCE iB=f(vBE)? vCE=const (2) 當(dāng) vCE≥1V時(shí)， vCB= vCE vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開(kāi)始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的 vBE下 IB減小，特性曲線右移。 輸入特性曲線 三、 BJT的特性曲線 （以共射極放大電路為例） iC=f(vCE)? iB=const 輸出特性曲線 飽和區(qū)： iC明顯受 vCE控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般 vCE＜ (硅管 )。 iC=f(vCE)? iB=const 輸出特性曲線 輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域 : 截止區(qū)： iC接近零的區(qū)域，相當(dāng) iB=0的曲線的下方。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 非線性失真與線性范圍 飽和失真 截止失真 1Q2vCE/ViC/ mA放大區(qū)0iB= 40 uA8 0 uA120 u A160 u A200 u A飽和區(qū)截止區(qū)當(dāng)工作點(diǎn)達(dá)到了飽和區(qū)而引起的非線性失真。 NPN管 ?輸出電壓為頂部失真。 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)正偏 發(fā)射結(jié)反偏 線性范圍（動(dòng)態(tài)范圍） 線性范圍 —— 用 最大不失真輸出幅度 Vom來(lái)衡量 Q點(diǎn)偏高 —— 易出現(xiàn)飽和失真， Vom為 Q點(diǎn)到飽和區(qū)邊沿的距離 Q點(diǎn)偏低 —— 易出現(xiàn)截止失真， Vom為 Q點(diǎn)到截止區(qū)邊沿的距離 四、 BJT的主要參數(shù) 交流參數(shù) 直流參數(shù) 極限參數(shù) 結(jié)電容 Cb’c 、 Cb’e 集電極最大允許電流 ICM 集電極最大允許功率損耗 PCM 反向擊穿電壓 極間反向電流 ICBO 、 ICEO 交流電流放大系數(shù) ? 、 ? 直流電流放大系數(shù) ? 、 ? 特征頻率 fT FET分類： 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 增強(qiáng)型 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 N溝道 P溝道 P溝道 94 場(chǎng)效應(yīng)管 一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 結(jié)構(gòu) 三個(gè)電極： g —— 柵極 d —— 漏極 s —— 源極 導(dǎo)電溝道： 兩個(gè) PN結(jié)中 間的區(qū)域 符號(hào)： p++pd漏極源極 s柵極 gNgsdN溝道 gdsP溝道 二、金屬 氧化物 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 Metal Oxide Semiconductor FET，簡(jiǎn)稱 MOSFET。 gsdb符號(hào)： N+ +NP 襯底s g db源極 柵極 漏極襯底 N溝道增強(qiáng)型 MOSFET N溝道耗盡型 MOSFET 特點(diǎn)： 當(dāng) vGS=0時(shí)，就有溝道，加入 vDS， 就有 iD。 當(dāng) vGS＜ 0時(shí)，溝道變窄，iD減小。所以當(dāng)vGS=0時(shí)，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道。 場(chǎng)效應(yīng)管輸入端幾乎沒(méi)有電流 , 所以其直流輸入電阻和交流輸入電阻都非常高 。 由于場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)對(duì)稱 , 有時(shí)漏極和源極可以互換使用 , 而各項(xiàng)指標(biāo)基本上不受影響 , 因此應(yīng)用時(shí)比較方便 、 靈活 。
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