半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)ppt課件-在線瀏覽
2025-06-23 12:44本頁(yè)面
【正文】 稱為反向飽和電流 。 常用的半導(dǎo)體材料有硅和鍺 , 因此共有四種三極管類型 。第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 半導(dǎo)體三極管 3AX813AX13DG43 A D 1 0( a ) ( b ) ( c ) ( d )圖 1 28 幾種半導(dǎo)體三極管的外形 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 三極管的結(jié)構(gòu)及類型 圖 1 – 29 三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào) 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 無(wú)論是 NPN型或是 PNP型的三極管 ,它們均包含三個(gè)區(qū) : 發(fā)射區(qū) 、 基區(qū)和集電區(qū) , 并相應(yīng)地引出三個(gè)電極：發(fā)射極 （ e)、 基極 (b)和集電極 (c)。 同時(shí) ,在三個(gè)區(qū)的兩兩交界處 , 形成兩個(gè) PN結(jié) , 分別稱為發(fā)射結(jié)和集電結(jié) 。它們對(duì)應(yīng)的型號(hào)分別為： 3A(鍺 PNP)、 3B(鍺 NPN)、3C(硅 PNP)、 3D(硅 NPN)四種系列 。 于是有 Ｉ Ｃ ＝ Ｉ Ｃｎ ＋ Ｉ ＣＢＯ (1 6) 第 1章 半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 發(fā)射極電流 Ｉ Ｅ 也由兩部分組成： Ｉ Ｅｎ 和 Ｉ Ｅｐ 。 因?yàn)榘l(fā)射區(qū)是重?fù)诫s , 所以 Ｉ Ｅｐ 忽略不計(jì) , 即 Ｉ Ｅ ≈Ｉ Ｅｎ 。 Ｉ Ｂｎ 是電子在基區(qū)與空穴復(fù)合時(shí)所形成的電流 , 基區(qū)空穴是由電源 Ｕ ＢＢ 提供的 ,故它是基極電流的一部分 。 通常用共基極直流電流放大系數(shù)衡量上述關(guān)系 , 用 α來(lái)表示 , 其定義為 ECnEnCnIIII ????(19) 一般三極管的 α值為 ～ 。當(dāng) ICICBO時(shí) , β又可寫成 (113) (114
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