【摘要】半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體概念:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)。特點是:①導(dǎo)電性能受環(huán)境因素影響;②可通過某種工藝改變其導(dǎo)電性能。電子器件采用的半導(dǎo)體材料:主要是硅材料和鍺材料。其次還有砷化鎵和磷化鎵材料。——半導(dǎo)體材料在制造電子器件之前首先要經(jīng)過提純。經(jīng)過提純的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于其晶體結(jié)構(gòu)。硅材料和鍺材料的晶體
2025-06-16 13:13
【摘要】(1-1)第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(1-2)導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體,金屬一般都是導(dǎo)體。絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導(dǎo)體:另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,稱為半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性(1-3)
2025-07-14 01:41
【摘要】9-1PN結(jié)及半導(dǎo)體二極管9-3晶體管9-4場效應(yīng)管9-2特殊二極管一、半導(dǎo)體材料元素半導(dǎo)體材料有硅Si和鍺Ge等,它們都是4價元素.化合物半導(dǎo)體由大多數(shù)金屬氧化物、硫化物及砷化物組成等。導(dǎo)電特點:1、其能力容易受溫度、光照等環(huán)境因素影響2、在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)可以顯著提
2025-03-03 10:04
【摘要】蔡竟業(yè)第一章常用半導(dǎo)體器件§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識§半導(dǎo)體二極管§晶體三極管§場效應(yīng)管作業(yè):蔡竟業(yè)§半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識二、雜
【摘要】半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)一.半導(dǎo)體概要二.載流子模型三.載流子輸運四.pn結(jié)的靜電特性五.pn結(jié)二極管:I-V特性六.pn結(jié)二極管:小信號導(dǎo)納七.pn結(jié)二極管:瞬態(tài)特性八.BJT的基礎(chǔ)知識9.BJT靜態(tài)特性10.BJT動態(tài)響應(yīng)模型11.MOS結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)
2025-07-13 12:03
【摘要】第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)半導(dǎo)體三極管3AX813AX13DG43AD10(a)(b)(c)(d)圖1-28幾種半導(dǎo)體三極管的外形第1章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)三極管的結(jié)構(gòu)及類型圖1–29三極管的結(jié)構(gòu)示意圖和符號
2025-06-23 12:44
【摘要】主講:劉園園2021年2月13509851820半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識晶體三極管場效應(yīng)管半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識本征半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體PN結(jié)半導(dǎo)體材料根據(jù)物體導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。典型的半
【摘要】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)●晶體管的頻率響應(yīng)●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓●P-N-P-N結(jié)構(gòu)●異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
2025-06-23 12:47
【摘要】第一章半導(dǎo)體器件的特性半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性PN結(jié)二極管雙極型晶體管(BJT)場效應(yīng)管(FET)主要內(nèi)容及要求基礎(chǔ),必須掌握:基本概念,原理,特征曲線、參數(shù),應(yīng)用等。了解原理,掌握特征曲線、參數(shù)。半導(dǎo)體材料:物質(zhì)根據(jù)其導(dǎo)電能力(電阻率)的不同,可劃分導(dǎo)體、絕緣體和
【摘要】上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院半導(dǎo)體器件物理第一章半導(dǎo)體特性上海電子信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院第1章半導(dǎo)體特性半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷載流子的運動非平衡載流子習(xí)題上海電子信息職業(yè)
2025-03-02 12:12
【摘要】第1章半導(dǎo)體器件教學(xué)內(nèi)容§半導(dǎo)體的特性§半導(dǎo)體二極管§雙極型三極管§場效應(yīng)三極管教學(xué)要求本章重點是各器件的特性與模型,特別要注意器件模型的適用范圍和條件。對于半導(dǎo)體器件,主要著眼于在電路中的使用,關(guān)于器件內(nèi)部的物理過程只要求有一定的了解
2024-08-30 08:26
【摘要】RuHuang,ime,PKU1半導(dǎo)體器件與工藝2022年8月RuHuang,ime,PKU2?半導(dǎo)體器件?IC的基礎(chǔ)?數(shù)字集成電路建庫等?模擬集成電路、射頻集成電路設(shè)計?側(cè)重工作原理、特性分析、模型RuHuang,ime,PKU3半導(dǎo)體器件方面的課程內(nèi)容
【摘要】第三章雙極結(jié)型晶體管●雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)●基本工作原理●理想雙極結(jié)型晶體管中的電流傳輸●愛伯斯-莫爾方程●緩變基區(qū)晶體管●基區(qū)擴展電阻和電流密聚●基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)●晶體管的頻率響應(yīng)●混接型等效電路●晶體管的開關(guān)特性●擊穿電壓?雙極結(jié)型晶體管-Bel
2025-03-03 10:18
【摘要】半導(dǎo)體器件原理與工藝半導(dǎo)體器件原理與工藝?概述?半導(dǎo)體襯底?熱氧化?擴散?離子注入?光刻?刻蝕?薄膜淀積?CMOS半導(dǎo)體器件原理與工藝摻雜摻雜擴散離子注入擴散的基本原理擴散方法擴散層的主要參數(shù)及檢測離子注
2025-04-10 15:11
【摘要】半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)內(nèi)部資料,注意保密課程說明?課程時長:4小時?授課方式:講授?必備條件:數(shù)投、便攜機、白板、擴音設(shè)備?課程簡介:通過對《半導(dǎo)體器件失效分析基礎(chǔ)》課程的講解,使學(xué)員體會到產(chǎn)品進行元器件失效分析的重要性和迫切性,本課程主要講授了器件常見失效模式、常見失效機理、失效分析流程、
2025-02-15 12:34