半導(dǎo)體器件bwuppt課件-在線瀏覽
2025-03-08 01:25本頁面
【正文】 變厚 N P + _ 內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。 R E 上 頁 返 回 121 單向?qū)щ娦? PN結(jié)加反向電壓截止 ? 當(dāng) PN結(jié)加反向電壓時，外電場與內(nèi)電場方向相同，空間電荷區(qū)變寬，漂移運(yùn)動加劇。 上 頁 返 回 122 基本結(jié)構(gòu) PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。 二極管 上 頁 返 回 123 伏安特性 U I 死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 反向擊穿電壓 UBR 上 頁 返 回 124 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V，正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RL ui uo ui uo t t 例 二極管半波整流 二極管的應(yīng)用 上 頁 返 回 125 例 二極管門電路如圖所示，設(shè) DA、 DB為理想二極管，已知 A、 B端的電位分別為 0V、 3V和 3V、 0V，求輸出端F的電位 VF。 當(dāng) A、 B端的電位為 3V、 0V時，二極管設(shè) DB導(dǎo)通、 DA反偏截止；忽略正向壓降，輸出端 F的電位 VF為 0V。 + UZ 動態(tài)電阻： ZZIUZr ???rz越小，穩(wěn)壓性能越好。 穩(wěn)壓二極管 上 頁 返 回 127 （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin。 （ 3）動態(tài)電阻 ZZIUZr ??? 穩(wěn)壓二極管的參數(shù) 上 頁 返 回 128 要求 當(dāng)輸入電壓由正常值發(fā)生 ?20%波動時，負(fù)載電壓基本不變。 ?? k2LR解： 令輸入電壓達(dá)到上限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmax 。 mA25m a x ???LZWz RUIi102521 ???? RUiRu. zWi—— 方程 1 上 頁 返 回 129 令輸入電壓降到下限時，流過穩(wěn)壓管的電流為 Izmin 。 雙極結(jié)型晶體管 上 頁 返 回 131 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 基區(qū)：較薄，摻雜濃度低 集電區(qū)：面積較大 ,雜質(zhì)濃度低 發(fā)射區(qū)：摻 雜濃度較高 上 頁 返 回 132 B E C N N P 基極 發(fā)射極 集電極 發(fā)射結(jié) 集電結(jié) 上 頁 返 回 133 B E C IB IE IC NPN型三極管 B E C IB IE IC PNP型三極管 上 頁 返 回 134 ? β = ICN/IBN ? IE=IBN+ICN ? IC=ICN+ICB0 ? IB=IBNICB0 ? IC= β IBN+ICB0 ? = β (IB+ICB0)+ICB0= β IB+(1+ β )ICB0 ? = β IB+ICE0 ? ICBO集、基極間反向飽和電流 ? ICE0穿透電流判斷晶體管質(zhì)量的好壞（ IB=0） ? IC= β IB 上 頁 返 回 135 電流分配定律 ? 前提：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置 ? IC= β IB ? IE=IC+IB=(1+ β ） IB 上 頁 返 回 136 特性曲線 IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 實(shí)驗線路 上 頁 返 回 137 一、 輸入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 工作壓降： 硅管UBE?~,鍺管 UBE?~。 上 頁 返 回 138 二、 輸出特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此區(qū)域滿足IC=?IB稱為線性區(qū)（放大區(qū)）。 上 頁 返 回 139 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A
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